New Lines in High Resolution IR Luminescence Spectra of SiC Single Crystals of the 4H and 6H Polytypes

Optics and Spectroscopy. 2020. Vol. 128. No. 9. P. 1374–1378.

Болдырев К. Н., Gutsenko D. D., Klimin S. A., Novikova N. N., Mavrin B. N., Mayakova M. N., Khnykov V. M.

Проведено исследование низкотемпературных спектров ИК люминесценции и поглощения высокого
разрешения нелегированных высококачественных монокристаллов SiC гексагональных модификаций 4H и
6H. Обнаружены узкие линии, имеющие ширины менее 0.2 cm−1, часть из которых наблюдалась впервые.
Найдено, что часть линий в модификации 4H и 6H имеют схожую структуру, однако линии в SiC-4H смещены
в высокоэнергетичную часть спектра на  180 cm−1. Для наиболее интенсивного квартета в области 1.3 μm
по спектрам люминесценции и поглощения удалось построить энергетическую структуру уровней как для
модификации 4H, так и для 6H.

Ключевые слова: SiC, SiC