?
Single-Mode Emission From 4-9-μm Microdisk Lasers with Dense Array of InGaAs Quantum Dots
Journal of Lightwave Technology. 2015. Vol. 33. No. 1. P. 171-175.
Язык:
английский
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Maximov M. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2015 Vol. 21 No. 6 P. 709-713
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. и др., Optics Letters 2018 Vol. 43 No. 19 P. 4554-4557
Добавлено: 27 сентября 2020 г.
Zhukov A., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2020 Vol. 56 No. 5 P. 1-8
Добавлено: 30 июля 2020 г.
Крыжановская Н. В., Mukhin I., Моисеев Э. И. и др., Optics Express 2014 Vol. 22 No. 21 P. 25782-25787
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.
Maximov M., Крыжановская Н. В., Надточий А. М. и др., Nanoscale Research Letters 2014 Vol. 9 No. 1 P. 657-657
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Polubavkina Y., Моисеев Э. И. и др., Journal of Applied Physics 2017 Vol. 121 No. 4 P. 043104
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 3 С. 256-263
Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур
InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость
коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как
с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения.
В ...
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53 № 8 С. 1122-1127
Исследованы микродисковые лазеры диаметром 10−30 мкм, работающие при комнатной температуре без
термостабилизации, с активной областью на основе наноструктур гибридной размерности — квантовых
ям−точек. Выполнены высокочастотные измерения отклика микролазеров в режиме прямой малосигнальной
модуляции, с помощью которых установлены параметры быстродействия и проведен их анализ в зависимости
от диаметра микролазера. Обнаружено, что K-фактор составляет (0.8 ± 0.2) нс, что соответствует оптическим ...
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Maximov M., Надточий А. М., Крыжановская Н. В. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2020 Vol. 10 No. 3 Article 1038
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Switzerland : Springer, 2020
Добавлено: 15 марта 2020 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Thin solid films 2019 Vol. 672 P. 109-113
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Надточий А. М., Максимов М. В., Mintairov S. и др., Physica Status Solidi (B): Basic Research 2018 Vol. 255 No. 9 Article 1800123
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37-39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Жуков А. Е., СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2019
Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей ...
Добавлено: 10 февраля 2020 г.
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., Applied Physics B: Lasers and Optics 2018 Vol. 124 No. 2 Article 21
Добавлено: 16 марта 2021 г.
M. : Association of graduates and employees of AFEA named after prof. Zhukovsky, 2018
Добавлено: 24 мая 2018 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Optics Letters 2017 Vol. 42 No. 17 P. 3319-3322
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Моисеев Э. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 2 С. 212-216
Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время ...
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.