?
Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях
Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 402-403.
Приведена библиотека радиационных и электротепловых SPICE-моделей биполярных и МОП транзисторов СБИС различных типов. Библиотека содержит SPICE-модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, учитывающие влияние эффекта саморазогрева, высоких (до +300°C) и низких (до –200°C) температур, радиационных эффектов (нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц).
Научное направление:
Электроника и электротехника
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
русский
Добавлено: 17 октября 2014 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Лапшинов Б. А., Магунов А. Н., Пыльнев М. А., Приборы и техника эксперимента 2014 № 1 С. 128-132
Спектрометр с линейкой фотоприемников, состоящей из 512 пикселей на основе InGaAs, чувствительной к инфракрасному излучению в интервале длин волн 0.9–2.5 мкм, позволяет регистрировать спектры теплового излучения объектов с неизвестной излучательной способностью и вычислять их температуры вблизи 400 К при времени накопления 100–500 мс и вблизи 500–600 К при времени накопления 10 мс. ...
Добавлено: 19 июня 2014 г.
Каперко А. Ф., Недосекин П. Г., Датчики и системы 2020 № 6 С. 45-51
Представено исследование коаксиального алмазного сенсора для регистроации протонов и электронов. Проведено моделирование процесса взаимодействия заряженных частиц в объеме сенсора в диапазоне энергий от 25 до 200 МэВ для протонов и от 300 кэВ до 5 МэВ для электронов, а также проанализирована эффективность регистрации электронов и протонов в объеме алмазного коаксиального сенсора. ...
Добавлено: 22 июня 2021 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 4 С. 96-97
Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры. ...
Добавлено: 6 октября 2013 г.
Мадера А. Г., Компьютерные исследования и моделирование 2018 Т. 10 № 4 С. 483-494
Статья посвящена эффекту тепловой обратной связи, возникающему при функционировании интегральных микросхем и электронных систем, использующих микросхемы. Тепловая обратная связь обусловливается тем, что потребляемая при функционировании микросхемы мощность нагревает ее и, в силу значительной зависимости ее электрических параметров от температуры, между ее электрическими и тепловыми процессами возникает интерактивное взаимодействие. Воздействие тепловой обратной связи приводит к изменению ...
Добавлено: 6 ноября 2019 г.
Жаднов В. В., Качество. Инновации. Образование 2014 № 10 С. 35-41
В статье рассматривается вопросы расчётной оценки допусков температур корпусов электрорадиоэлементов, установленных на печатной плате. Приводится описание методов расчета допусков и основные расчетные соотношения. Показана целесообразность применения метода Монте-Карло для расчётной оценки допусков температур корпусов электрорадиоэлементов, установленных на печатной плате. ...
Добавлено: 25 ноября 2014 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Добавлено: 23 января 2014 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386-392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Королев П. С., Полесский С. Н., Серебрякова Ю. О. и др., Авиакосмическое приборостроение 2020 № 6 С. 40-49
Лампы бегущей волны (ЛБВ) получили широкое распространение в усилителях мощности для радиосредств передачи информации, в том числе в космической аппаратуре, так как именно для них предъявляются высокие требования к обеспечению надежности, например, по причине отсутствия возможности проведения технического обслуживания на протяжении длительного срока активного существования. Отсюда и появляется проблема гарантийной и достоверной оценки единичных показателей ...
Добавлено: 6 мая 2020 г.
Петросянц К. О., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 49-50.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1-6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416-425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
IEEE, 2020
Добавлено: 15 мая 2021 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Кожухов М. В. и др., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Николаев Д. П., Васильев В. А., Громков Н. В. и др., Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль 2013 Т. 3 № 5 С. 72-79
Рассмотрены датчики давления на основе тонкопленочных тензорезисторных нано- и микроэлектромеханических систем с частотным выходным сигналом, устойчивые к воздействию температур. Представлены оригинальные схемы частотных преобразователей и топологии расположения тензоэлементов на мембране чувствительного элемента датчика. ...
Добавлено: 25 ноября 2013 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Khasanshin R. K., Novikov L.S., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2014 Vol. 8 No. 4 P. 698-702
Добавлено: 2 марта 2015 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Journal of Contemporary Physics 2020 Vol. 55 No. 2 P. 144-150
Добавлено: 2 июля 2020 г.
Изучено влияние повышенной температуры на процессы, характеризующие изменение зарядового состояния МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной пленкой ФСС, при сильнополевой инжекционной модификации. Установлено, что повышение температуры в процессе инжекционной модификации приводит к уменьшению плотности накапливаемого положительного заряда и, тем самым, снижает интенсивность деградационных процессов в МДП-структурах Si – SiO2 – ФСС – Al. При этом ...
Добавлено: 4 января 2013 г.
Kuznetsov V., Kechiev L., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947-954
Добавлено: 1 января 2016 г.