• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Модель одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в полупроводниковых лазерах на квантовых точках

Омельченко А. В., Коренев В., Савельев А., Жуков А., Максимов М.

Теоретически исследован режим одновременной генерации через основной и возбужденный оптические переходы в лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек InAs/InGaAs. Показано, что различие в темпах захвата электронов и дырок приводит к уменьшению мощности, излучаемой на основном переходе при увеличении тока накачки, вплоть до ее полного гашения. Учет указанного обстоятельства позволяет количественно описать экспериментальную ватт-амперную характеристику и ее спектральные составляющие.