• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Tris (ethylene diamine) nickel acetate as a promising precursor for hole transport layer in planar structured perovskite solar cells
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
18 сентября 2026 г.
«Время на содержательные вопросы у нас не лимитировалось»
Международная лаборатория атомистического суперкомпьютерного моделирования и многомасштабного анализа НИУ ВШЭ провела масштабную конференцию «Молекулярная динамика». Участники могли услышать всех докладчиков, а сами докладчики — ответить на любое количество содержательных вопросов. О подготовке конференции и дискуссиях «Вышка.Главное» поговорила с заведующим лабораторией Григорием Смирновым и ее главным научным сотрудником Генри Норманом.
18 сентября 2026 г.
Ученые ВШЭ займутся изучением очарованных адронов в рамках BESIII
Высшая школа экономики стала университетом — участником международной коллаборации BESIII (Beijing Spectrometer III) в области физики высоких энергий. Присоединение к коллаборации стало первым практическим результатом реализации меморандума о сотрудничестве, подписанного в 2025 году между НИУ ВШЭ и Институтом физики высоких энергий (IHEP) в Пекине (КНР).
17 сентября 2026 г.
<a>НИУ ВШЭ представил в Китае исследование о безопасности нейросетей для анализа видео
Ученые Высшей школы экономики презентавали на международной конференции ChinaMM 2026 в Китае исследование о том, как искажения при передаче видео влияют на работу нейросетей. Авторы предложили новый способ проверять устойчивость таких моделей в условиях, близких к реальному использованию видеосервисов.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Tris (ethylene diamine) nickel acetate as a promising precursor for hole transport layer in planar structured perovskite solar cells

Journal of Materials Chemistry C. 2018. Vol. 6. No. 23. P. 6179–6186.
Saranin D., Mazov V., Luchnikov L., Lypenko D., Gostishev P., Muratov D., Podgorny D., Migunov D., Didenko S., Orlova M., Kuznetsov D., Tameev Alexey R., Di Carlo A.
Научное направление: Нанотехнологии Физика
Язык: английский
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: hole transportsolar cellsphotovoltaicslayered structures
Похожие публикации
The Effect of the Gate Material in MIS Structures on the High-Field Charge Degradation in the Gate Dielectric
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Vague stimulating ideas, images and metaphors in scientific thinking: researchers' work with horizons of unclear knowledge
Поддьяков А. Н., / Series Social Science Research Network "Social Science Research Network". 2026. No. 7437658.
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Some Aspects of Remote State Restoring in State Transfer Governed by XXZ-Hamiltonian
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Coherence restoring in communication line via controlled interaction with environment
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Macroscopic entanglement distribution with atomic ensembles
Li S., Hu J., Лазарев И. Д. и др., Annals of Physics 2026 Vol. 494 Article 170618
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Quantum Repeater Protocol for Deterministic Distribution of Macroscopic Entanglement, Advanced Quantum Technologies
Pyrkov A., Лазарев И. Д., Byrnes T., Advanced Quantum Technologies 2025 Article 2400524
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Hybrid quantum-classical unsupervised data clustering based on the self-organizing feature map
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Mixing of real and quantum gases
Борщевский А. Я., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 9 P. 4793–4803
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Bridging experiment and molecular dynamics: Mefenamic acid confinement in nanocrystalline cellulose aerogels under scCO2 conditions
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Configuration-dependent edge and corner superconductivity in 𝑠-wave kagome superconductors
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Interband effects in the intertype regime of dirty two-band superconductors
P. M. Marychev, A. A. Shanenko, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Элементы теории топологических изоляторов
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Solvent-mediated surface modification of electron transport layers for efficient PbS quantum dot solar cells
Zaman N., Li Y., Zheng T. и др., Journal of Materials Chemistry A 2026 Vol. 14 No. 25 P. 15971–15983
Добавлено: 1 марта 2026 г.
Exciton diamagnetic shifts and spin dynamics in lead halide perovskites under high magnetic fields
Do T. T., Xing J., Liu S. и др., APL Materials 2025 Vol. 13 No. 9 Article 091111
Добавлено: 26 января 2026 г.
New hole transport materials based on polybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene polymers with different side chains for n-i-p perovskite solar cells
Kuklin S., Safronov S., Latypova A. и др., Polymer 2024 Vol. 311 Article 127500
A series of new benzodithiophene-backbone polymers P1–P6 have been synthesized and studied.• The polymers P1–P6 have electronic properties which are suitable for optoelectronic applications.• The polymers demonstrated good efficiency in perovskite solar cells with maximum power conversion efficiency of 18.6 % in the case of P2 as hole-transporting layer, without any dopation.• The devices with ...
Добавлено: 24 февраля 2025 г.
What defines the perovskite solar cell efficiency and stability: fullerene-based ETL structure or film morphology?
Elnaggar M., Mumyatov A., Emelianov N. и др., SUSTAINABLE ENERGY & FUELS 2023 Vol. 7 No. 16 P. 3893–3901
Добавлено: 18 января 2024 г.
Ag–Bi Charge Redistribution Creates Deep Traps in Defective Cs2AgBiBr6: Machine Learning Analysis of Density Functional Theory
Лю Д., Perez C. M., Васенко А. С. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2022 Vol. 13 No. 16 P. 3645–3651
Добавлено: 5 мая 2022 г.
Synthesis of donor-π-acceptor porphyrins for DSSC: DFT-study, comparison of anchoring mode and effectiveness
Ezhov A. V., Vyal'ba F. Y., Zhdanova K. A. и др., Journal of Porphyrins and Phthalocyanines 2020 Vol. 24 No. 4 P. 538–547
Добавлено: 6 декабря 2021 г.
Electronic states in GaAs photoconverters with InGaAs quantum well-dots
Mintairov S., Maximov M., Надточий А. М. и др., Applied Physics Express 2020 Vol. 13 No. 1 Article 015009
Добавлено: 5 ноября 2020 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору