• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников (обзорная статья)

Успехи физических наук. 2005. Т. 175. № 10. С. 1017-1037.

Представлен обзор и критический анализ результатов исследований температурных зависимостей поверхностного импеданса Z(T) = R(T) + iX(T) и комплексной проводимости (T) = σ(T)-iσ"(T) в ab-плоскостях и вдоль с-оси кристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Рассмотрен электродинамический метод извлечения всех компонент тензоров σ(T) и Z(T) из измеряемых в микроволновом эксперименте величин. Основное внимание уделяется эволюции зависимостей Z(T) и σ(T) в кристалле YВа2Сu3O7-x при вариациях кислородного допирования в нем. Обсуждаются возможные механизмы проводимости в рамках моделей нормального, сверхпроводящего и псевдощелевого состояний ВТСП.