• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Origin of Electric Field Dependence of the Charge Mobility and Spatial Energy Correlations in C60-Based Field Effect Transistors
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
30 апреля 2026 г.
«Моя цель - стать ординарным профессором»
Михаил Саматов занимается теоретическими исследованиями перовскитных солнечных батарей. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» он рассказал о работе на суперкомпьютере Вышки, сотрудничестве с Пекинским университетом и умении делать мебель.
29 апреля 2026 г.
Научить машину читать прошлое: на ФГН создают нейросеть для расшифровки рукописей
Дневники и письма — бесценный источник для гуманитария-исследователя. Но что делать, если текст невозможно прочитать? На факультете гуманитарных наук (ФГН) ВШЭ эту проблему решили перевести на язык математики: команда филологов, историков и специалистов по машинному обучению создала информационную систему, которая не только распознает неразборчивый почерк, но и помогает анализировать содержание архивов.
29 апреля 2026 г.
8 драйверов технологического будущего: что изменит экономику
Какие отрасли определят облик ближайших десятилетий? Премьер-министр  Михаил Мишустин назвал 8 направлений, которые будут развиваться в ближайшие годы. О том, какие образовательные программы НИУ ВШЭ готовят специалистов по этим направлениям — в материале IQ медиа.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Origin of Electric Field Dependence of the Charge Mobility and Spatial Energy Correlations in C60-Based Field Effect Transistors

Molecular Crystals and Liquid Crystals. 2014. Vol. 589. P. 18–28.
Fishchuk I. I., Kadasnchuk A., Новиков С. В., Ullah M., Genoe J., Sariciftci N. S., Sitter H., Bassler H.

We report on the influence of the lateral electric field on the charge mobility in organic field-effect transistors (OFET) based on C 60 films with multigrain morphology. The experimental data were quantitatively described using a recent analytical model by accounting for the strong local electric fields in a multigrain transistor channel and for the energy correlation effects. To rationalize the presence of a correlated disorder in a non-polar C 60 material, we show that randomly oriented permanent dipoles in organic gate dielectric layers can generate a significant dipolar disorder in an adjacent nonpolar semiconductor layer.

Научное направление: Физика
Приоритетные направления: инженерные науки
Язык: английский
Полный текст
Текст на другом сайте
Ключевые слова: транспорт носителей зарядаполевые транзисторыфуллеренсодержащие веществаcharge carrier transportfield effect transistorsfullerene-based materials
Похожие публикации
An Approximate Method for Calculating Kinetic Coefficients of Heavy Ions in He-Containing Mixtures in a Strong Electric Field
Пономарев А. А., Александров Н. Л., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Influence of the Normal Magnetic Component to Magnetotail Current Sheet Forma
Domrin V. I., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Cosmic Research 2026 Vol. 64 No. 2 P. 238–252
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Asymmetric Equilibrium Structures of Superthin Current Sheets: The Asymmetry of Plasma Sources
Tsareva O. O., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 2 P. 179–185
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Особенности генерации квазипериодических ОНЧ-излучений с существенной частотной динамикой внутри плазмосферы
П.А.Беспалов, О.Н. Савина, Геомагнетизм и аэрономия 2025 Т. 65 № 5 С. 620–628
Рассмотрены несколько базовых моделей частотной динамики в квазипериодических ОНЧ-излучениях с периодами повторения спектральных форм от 10 до 300 с. Во всех случаях речь идет о проявлениях циклотронной неустойчивости электронных радиационных поясов, которые хорошо описываются в рамках теории плазменного магнитосферного мазера, основанной на усредненной самосогласованной системе квазилинейных уравнений для частиц и волн. Не очень четкие спектральные элементы характерны для QP-всплесков, представляющих ...
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Modeling of Influence of a Thin Dielectric Film at a Fraction of Cathode Surface on Transition of a Glow Gas Discharge into an Arc Discharge
Bondarenko G.G., Fisher M. R., Kristya V. I., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2026 Vol. 90 No. 4 P. 572–576
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Stable Multi-Wavelength Resonant Metal-dielectric Hybrid Nanostructure in the Infrared Range
Задков В. Н., Plasmonics 2026 Vol. 21 P. 1503–1512
Добавлено: 22 апреля 2026 г.
Cross-influence of two societies in deterministic evolutionary game
Щур Л. Н., Antonov D., Burovski E., International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering 2026 P. 1–9
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices
Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena
Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Theory of capillary-induced self-coacervation in zwitterionic polymer solutions
Каликин Н. Н., Брандышев П. Е., Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 164 Article 154904
Добавлено: 18 апреля 2026 г.
UV-C microdisk lasers based on AlGaN heterostructures on sapphire
Моисеев Э. И., Масютин Д. А., Мельниченко И. А. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 201 No. 115289 P. 1–5
Добавлено: 18 апреля 2026 г.
Asymptotic expansion of self-consistent energy levels of hydrogen atom in ortogonal electric and magnetic fields
A. V. Pereskokov, Theoretical and Mathematical Physics 2026 Vol. 226 No. 3 P. 470–484
Добавлено: 12 апреля 2026 г.
Mean-squared displacements of rough particles in polydisperse granular gases
Anna S. Bodrova, Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 No. 4 Article 045403
Добавлено: 5 апреля 2026 г.
ДЕФОРМАЦИЯ И УСТОЙЧИВОСТЬ ВЯЗКОУПРУГОЙ ПОЛИМЕРНОЙ КАПЛИ ПРИ ТЕЧЕНИИ В КАНАЛЕ С РЕЗКИМ СУЖЕНИЕМ
Рощин Д. Е., Патлажан С. А., Кравченко И. В. и др., Коллоидный журнал 2026 Т. 88 № 3
В работе экспериментально и методами численного моделирования исследованы особенности деформационной динамики вязкоупругих капель растворов полиакрилонитрила (ПАН) в диметилсульфоксиде (ДМСО) при течении в силиконовом масле в канале с резким сужением. Основное внимание сосредоточено на изучении влияния концентрации ПАН и капиллярного числа на деформационное поведение и устойчивость таких капель. Показано, что увеличение концентрации ПАН приводит к существенному ...
Добавлено: 1 апреля 2026 г.
Обнаружение спинового тока в обменно-смещенных структурах Co/Fe/Mn/Pt
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Bulk composite of silica and detonation nanodiamonds with partially removed sp2 shells
V.E. Antonov, Ceramics International 2025 Vol. 51 No. 18 P. 25160–25168
Добавлено: 26 марта 2026 г.
Reversible hydrogen storage in multilayer graphane: lattice dynamics, compressibility, and heat capacity studies
Vladimir E. Antonov, Materials Chemistry and Physics 2025 Vol. 332 Article 130232
Добавлено: 26 марта 2026 г.
Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning
Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Quantum Dynamics of Charge Carriers in Fullerenes Encapsulated by Covalent Organic Polyhedra: Choice of Fullerene Matters
Mondal S., Chowdhury U., Habib M. и др., Journal of the american chemical society 2025 Vol. 147 No. 10 P. 8145–8155
Добавлено: 18 ноября 2025 г.
Modulation of charge transport and rectification behavior in CsSnI3 thin films through A-site cation engineering
Zarudnyaya A., Segal G., Morozov A. и др., Applied Physics Letters 2025 Vol. 126 No. 26 Article 262106
Перовскит CsSnI3 представляет собой тонкопленочный полупроводник с высокой собственной проводимостью для различных применений в устройствах (термоэлектрических, фотовольтаических и т. д.). Стехиометрический CsSnI3 имеет высокую плотность дефектов и структурные несовершенства, влияющие на производительность устройств. В работе мы провели исследование катионной инженерии в A-позиции, чтобы оценить корреляцию между структурными и транспортными параметрами для эффективной работы в диодных устройствах. ...
Добавлено: 1 октября 2025 г.
Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates
Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Интеграция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в биполярный технологический процесс. Объемный кремний
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Успехи прикладной физики 2024 Т. 12 № 4 С. 334–342
Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки ...
Добавлено: 12 сентября 2024 г.
Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm
Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору