?
Origin of Electric Field Dependence of the Charge Mobility and Spatial Energy Correlations in C60-Based Field Effect Transistors
Molecular Crystals and Liquid Crystals. 2014. Vol. 589. P. 18–28.
Fishchuk I. I., Kadasnchuk A., Новиков С. В., Ullah M., Genoe J., Sariciftci N. S., Sitter H., Bassler H.
We report on the influence of the lateral electric field on the charge mobility in organic field-effect transistors (OFET) based on C 60 films with multigrain morphology. The experimental data were quantitatively described using a recent analytical model by accounting for the strong local electric fields in a multigrain transistor channel and for the energy correlation effects. To rationalize the presence of a correlated disorder in a non-polar C 60 material, we show that randomly oriented permanent dipoles in organic gate dielectric layers can generate a significant dipolar disorder in an adjacent nonpolar semiconductor layer.
Пономарев А. А., Александров Н. Л., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Tsareva O. O., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 2 P. 179–185
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
П.А.Беспалов, О.Н. Савина, Геомагнетизм и аэрономия 2025 Т. 65 № 5 С. 620–628
Рассмотрены несколько базовых моделей частотной динамики в квазипериодических ОНЧ-излучениях
с периодами повторения спектральных форм от 10 до 300 с. Во всех случаях речь
идет о проявлениях циклотронной неустойчивости электронных радиационных поясов, которые
хорошо описываются в рамках теории плазменного магнитосферного мазера, основанной на
усредненной самосогласованной системе квазилинейных уравнений для частиц и волн. Не очень
четкие спектральные элементы характерны для QP-всплесков, представляющих ...
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Bondarenko G.G., Fisher M. R., Kristya V. I., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2026 Vol. 90 No. 4 P. 572–576
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Щур Л. Н., Antonov D., Burovski E., International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering 2026 P. 1–9
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Каликин Н. Н., Брандышев П. Е., Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 164 Article 154904
Добавлено: 18 апреля 2026 г.
Моисеев Э. И., Масютин Д. А., Мельниченко И. А. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 201 No. 115289 P. 1–5
Добавлено: 18 апреля 2026 г.
A. V. Pereskokov, Theoretical and Mathematical Physics 2026 Vol. 226 No. 3 P. 470–484
Добавлено: 12 апреля 2026 г.
Anna S. Bodrova, Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 No. 4 Article 045403
Добавлено: 5 апреля 2026 г.
В работе экспериментально и методами численного моделирования исследованы особенности деформационной динамики вязкоупругих капель растворов полиакрилонитрила (ПАН) в диметилсульфоксиде (ДМСО) при течении в силиконовом масле в канале с резким сужением. Основное внимание сосредоточено на изучении влияния концентрации ПАН и капиллярного числа на деформационное поведение и устойчивость таких капель. Показано, что увеличение концентрации ПАН приводит к существенному ...
Добавлено: 1 апреля 2026 г.
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Vladimir E. Antonov, Materials Chemistry and Physics 2025 Vol. 332 Article 130232
Добавлено: 26 марта 2026 г.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Mondal S., Chowdhury U., Habib M. и др., Journal of the american chemical society 2025 Vol. 147 No. 10 P. 8145–8155
Добавлено: 18 ноября 2025 г.
Zarudnyaya A., Segal G., Morozov A. и др., Applied Physics Letters 2025 Vol. 126 No. 26 Article 262106
Перовскит CsSnI3 представляет собой тонкопленочный полупроводник с высокой собственной проводимостью для различных применений в устройствах (термоэлектрических, фотовольтаических и т. д.). Стехиометрический CsSnI3 имеет высокую плотность дефектов и структурные несовершенства, влияющие на производительность устройств. В работе мы провели исследование катионной инженерии в A-позиции, чтобы оценить корреляцию между структурными и транспортными параметрами для эффективной работы в диодных устройствах. ...
Добавлено: 1 октября 2025 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки ...
Добавлено: 12 сентября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.