• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Non-epitaxial perovskite polariton laser diode operating under direct current
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
30 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург нашли способ ускорения нейросетей при помощи микролазеров
Ученые Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук Шаньдунь (Китай) смогли напрямую сопоставить скорость микродисковых лазеров, работающих от оптической и электрической энергии. Результаты позволят оптимизировать работу источников излучения в фотонных чипах для нейросетей и дата-центров. Исследование опубликовано в журналеJournal of Lightwave Technology.
30 сентября 2026 г.
ВШЭ создала веб-приложение для оценки эффекта биочар-проектов
Центр цифровых технологий для природно-климатических проектов НИУ ВШЭ разработал веб-приложение для предварительной оценки проектов по производству биочара из растительных остатков и его внесению в почву. Инструмент позволяет рассчитать потенциальный объем производства биочара и углеродных единиц, определить необходимую площадь сельскохозяйственных земель, оценить объем инвестиций и ожидаемый экономический эффект проекта.
30 сентября 2026 г.
«Нужно быть готовым отстаивать свою позицию перед более опытными исследователями»
Татьяна Багриновцева занялась нейробиологией, потому что интересовалась устройством человеческого мозга. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала о новой методике маркировки нейронов, работе с клеточными культурами и о любимом месте в Самаре — городской набережной.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Non-epitaxial perovskite polariton laser diode operating under direct current

Nature. 2026. Vol. 656. P. 80–85.
Pushkarev A., Khmelevskaia Daria, Matchenya I., Baryshev S., Sannikov D., Ekgardt A., Eduard I. Moiseev, Natalia V. Kryzhanovskaya, Alexey E. Zhukov, Krasnikov D., Marunchenko A., Yulin A., Nasibulin A., Lagoudakis P.
В печати
Язык: английский
DOI
Ключевые слова: polaritonperovskiteDiode laser
Похожие публикации
Robust CsPbBr3@SiO2 Nanocrystals with Controlled Shell Growth for Stable High-Resolution X‑ray Scintillation Imaging
Liang Y., Zhang X., Wang Q. и др., ACS Applied Nano Materials 2026 Vol. 9 No. 32 P. 15224–15232
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Non-epitaxial perovskite polariton laser diode operating under direct current
Pushkarev A., Khmelevskaia D., Matchenya I. и др., Nature 2026 Vol. 656 P. 80–85
Добавлено: 27 августа 2026 г.
CsPbBr3 and Cs4PbBr6 perovskite nanoparticles: hidden potential of Cs4PbBr6 or ineffective fluorescence?
Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Synthesis, Structures, and Optical Properties of Semiconductor Perovskite Nanoparticles CsBX3 (B = Pb, Mn; X = Br, Cl)
Гущина В. А., Russian Journal of Inorganic Chemistry 2024 Vol. 69 No. 6 P. 940–948
В настоящее время наночастицы ABX3 (NPs) на основе галогенидов свинца привлекают внимание благодаря своим уникальным оптическим свойствам и широкому спектру применения. Получение наночастиц со свинцом в качестве частичной или полной замены особенно интересно из-за токсичности этого химического элемента и большинства его соединений. В этом исследовании мы предлагаем модифицированный метод синтеза наночастиц перовскита с использованием марганца в качестве ...
Добавлено: 6 мая 2026 г.
Ultrahigh Modal Gain in Stripe Injection Lasers and Microlasers Based on InGaAs/GaAs Quantum Dots
Zubov F. I., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y. и др., Bulletin of the Lebedev Physics Institute 2025 Vol. 52 No. S1 P. S1–S6
Добавлено: 2 июля 2025 г.
Metal – insulator transition in CaV1-xWxO3 (x = 0.1-0.33) perovskites
Morozov I. V., Shamova I. K., Yusifov M. A. и др., Journal of Alloys and Compounds 2025 Vol. 1010 Article 178359
Добавлено: 27 января 2025 г.
Ultra-short stripe microlasers fabricated with a focused ion beam etching technique
Махов И. С., Комаров С. Д., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 2 P. 387–390
Добавлено: 9 января 2025 г.
Micro-pixelated halide perovskite photodiodes fabricated with ultraviolet laser scribing
Morozov A. P., Gostishchev P. A., Zharkova A. и др., Applied Physics Letters 2024 Vol. 124 No. 22 Article 223503
Добавлено: 11 июня 2024 г.
Progress of Edge-Emitting Diode Lasers Based on Coupled-Waveguide Concept
Han L., Wang Z., Gordeev N. и др., Micromachines 2023 Vol. 14 No. 6 Article 1271
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Half-Ring Microlasers Based on InGaAs Quantum Well-Dots with High Material Gain
Fedor Zubov, Моисеев Э. И., Mikhail Maximov и др., Photonics 2023 Vol. 10 No. 3 Article 290
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках
Максимов М. В., Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 18–21
Предложена схема кодирования и передачи информации, основанная на использовании лазера на квантовых точках, который в зависимости от тока инжекции излучает либо одну из двух, либо одновременно две спектральные компоненты, сильно разделенные по длине волны. При модуляции лазера током каждая линия излучения детектируются независимым фотодиодом, и, таким образом, информация кодируется как интенсивностью каждой из линий, так ...
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Optical Loss in Microdisk Lasers with Dense Quantum Dot Arrays
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2023 Vol. 59 No. 1 Article 2000108
Добавлено: 26 января 2023 г.
Directional single-mode emission from InGaAs/GaAs quantum-dot half-disk microlasers
Fedor I. Zubov, Eduard I. Moiseev, Mikhail V. Maximov и др., IEEE Photonics Technology Letters 2022 Vol. 34 No. 24 P. 1349–1352
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Измерение температуры горячей зоны методом 1f модуляционной диодной лазерной абсорбционной спектроскопии с логарифмическим преобразованием сигнала
Лигер В. В., Мироненко В. Р., Курицын Ю. А. и др., Квантовая электроника 2022 Т. 52 № 9 С. 831–837
Разработан новый вариант метода диодной лазерной абсорбционной спектроскопии (ДЛАС) для определения температуры горячих зон. Метод основан на комбинации медленного сканирования частоты излучения зондирующего диодного лазера в окрестности линии поглощения тестовой молекулы среды и быстрой модуляции частоты излучения с амплитудой порядка ширины линии поглощения. Особенностью метода является использование двухлучевой дифференциальной схемы, логарифмическое преобразование сигналов и регистрация ...
Добавлено: 26 октября 2022 г.
Advanced Fiber-Coupled Diode Laser Sensor for Calibration-Free 1f-WMS Determination of an Absorption Line Intensity
Liger V., Мироненко В. Р., Kuritsyn Y. и др., Sensors 2020 Vol. 20 No. 21 Article 6286
Добавлено: 20 октября 2022 г.
Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 μm
Гордеев Н. Ю., Моисеев Э. И., Фоминых Н. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 18 С. 36–40
Исследованы температурные характеристики кольцевых лазеров диаметром 480 μm оригинальной конструкции с активной областью на основе десяти слоев квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs. Лазеры продемонстрировали низкую пороговую плотность тока (200А/cm2 при 20◦C в непрерывном режиме генерации), характеристическая температура порогового тока в диапазоне 20−100◦C составила 68K, максимальная температура генерации 130◦C. Данные величины лишь незначительно уступают параметрам торцевых лазеров, изготовленных из той ...
Добавлено: 3 октября 2022 г.
Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек
Жуков А. Е., Надточий А. М., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 9 С. 922–927
Экспериментально и с помощью численного моделирования исследованы внутренние потери на пороге генерации в лазерных резонаторах с плотными массивами квантовых точек InGaAs/GaAs (квантовых яматочек) в зависимости от числа их рядов и величины потерь на вывод излучения. Найдены численные значения параметров, определяющие поглощение на свободных носителях в активной области и в расширенном волноводе. Определена оптимальная конструкция лазерного диода для достижения ...
Добавлено: 3 октября 2022 г.
Конструкции блокирующих слоев для подавления паразитной рекомбинации в мощных диодных лазерах с GaAs волноводом
Муретова М. Е., Ф.И. Зубов, Асрян Л. В. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 3 С. 363–369
На основе численного моделирования выполнен поиск асимметричных барьерных слоев (АБС) для лазерного диода с волноводом GaAs, излучающего на длине волны λ=980 нм. Пара АБС, прилегающих к активной области по обе стороны, блокирует нежелательные потоки носителей заряда и снижает паразитную спонтанную рекомбинацию в волноводных слоях. Предложены оптимальные конструкции АБС на основе AlGaAsSb и GaInP для блокирования ...
Добавлено: 11 августа 2022 г.
Improvement of thermal resistance in InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk lasers bonded onto silicon
F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy и др., Semiconductor Science and Technology 2022 Vol. 37 No. 7 Article 075010
Добавлено: 12 июля 2022 г.
Prediction of Space Groups for Perovskite-Like A2BB'O6 Compounds
Kiselyova N. N., Дударев В. А., Stolyarenko A. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2022 Vol. 13 No. 2 P. 277–293
Добавлено: 29 марта 2022 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору