• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • ЛЗШМ- и ЭДСР-интерферометрии и одноэлектронная динамика в двойной квантовой точке на краю топологического изолятора с магнитными барьерами
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
4 сентября 2026 г.
Сотрудники НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург разработали ИИ-инструмент для анализа человеческого поведения
Сотрудники и студенты НИУ ВШЭ совместно с экспертами из Санкт-Петербургского Федерального исследовательского центра РАН и Центра практического ИИ Сбера разработали нейросеть, способную одновременно распознавать эмоции, оценивать видимые черты личности и выявлять амбивалентность (неуверенность или противоречивость поведения). Результаты исследования опубликованы в журнале IEEE Access.
3 сентября 2026 г.
«Археолог - это следователь, опоздавший к месту преступления на тысячи лет»
Виктория Герасимова занимается краснолаковой керамикой, копает в Казахстане и играет в шахматы на городских площадках. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала об уникальности Боспорского царства, понтийской сигиллате и коте Матроскине — бизнесмене.
3 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ научили нейросеть превращать 3D-модели в готовые технологические карты
Исследователи Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ разработали систему CAD2TechSpec, которая автоматически превращает 3D-модели деталей в готовые технологические карты — пошаговые инструкции для станков. Разработка направлена на сокращение времени подготовки технической документации в машиностроении, авиастроении и других высокотехнологичных отраслях. Результаты исследованияо публикованы в журнале PeerJ Computer Science.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

ЛЗШМ- и ЭДСР-интерферометрии и одноэлектронная динамика в двойной квантовой точке на краю топологического изолятора с магнитными барьерами

Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2026. Т. 169. № 6. С. 668–687.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А.

Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что возможны осцилляции вида осцилляций Раби как для спиновой, так и для зарядовой подсистемы, а также их комбинаций. Характерные резонансы исследованы в плоскости параметров системы. Дальнейшее развитие изложенных результатов открывает новые возможности применения квантовых точек в топологических изоляторах для задач квантовых вычислений. 

Научное направление: Физика Нанотехнологии
Язык: русский
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: квантовая точкатопологический изоляторэлектронный спиновый резонансмагнитный барьеринтерференция Ландау-Зенера
Похожие публикации
Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn
Хомицкий Д. В., Дорохин М. В., Ведь М. В. и др., Физика твёрдого тела, Российская Федерация 2026 Т. 68 № 8 С. 1325–1332
Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Temperature-driven structural crossover of vortex matter in a Penrose quasicrystal
Томаева М. А., Неверов В. Д., Шаненко А. А. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 P. 1–6
Добавлено: 5 сентября 2026 г.
Scalable machine learning approach to disordered s-wave superconductors
Неверов В. Д., Красавин А. В., Вагов А. В. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 P. 1–6
Добавлено: 5 сентября 2026 г.
Problem solving in philosophy. How to Do Philosophy in the Age of Ultra-Intelligent AI
Вервурт Л. П., Springer, 2026.
Добавлено: 5 сентября 2026 г.
Моделирование влияния тонкой диэлектрической пленки, существующей на части поверхности катода, на переход тлеющего газового разряда в дуговой разряд
Бондаренко Г.Г., Фишер М. Р., Кристя В. И., Известия РАН. Серия физическая 2026 Т. 90 № 4 С. 867–874
Сформулирована модель катодного слоя тлеющего газового разряда при наличии на части рабочей поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Показано, что переход тлеющего разряда в дуговой разряд, сопровождающийся значительным увеличением плотности разрядного тока и уменьшением катодного падения напряжения, происходит наиболее быстро, если пленка занимает примерно половину поверхности катода. ...
Добавлено: 4 сентября 2026 г.
Stress tensor of inhomogeneous flexible polymer chain solutions beyond the ground-state dominance approximation
Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 9 Article 094902
Добавлено: 2 сентября 2026 г.
Metastability of lipid vesicle shapes in uniaxial extensional flow
Пикина Е. С., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 No. 5
Добавлено: 1 сентября 2026 г.
HF Heating Effects as Seen From Below and Above: First Results of Joint SURA–Ionosfera-M Experiment
Чернышов А. А., Padokhin A. M., Grach S. M. и др., Geophysical Research Letters 2026 Vol. 53 P. 1–11
Добавлено: 31 августа 2026 г.
Hectometric Continuum Radiation Observations on Different Temporal Scales in Near-Earth Space
D. A. Dorofeev, A. A. Chernyshov, Mogilevsky M. M. и др., JOURNAL OF GEOPHYSICAL RESEARCH-SPACE PHYSICS 2025 Vol. 130 Article e2025JA033900
Добавлено: 31 августа 2026 г.
On the nature of hectometric continuum-type emissions in the near-Earth plasma
Mogilevsky M. M., Шапошников В. Е., Чернышов А. А. и др., Physics of Plasmas 2025 Vol. 32 P. 1–10
Добавлено: 31 августа 2026 г.
(111)-Textured p-Type PbTe Films Grown on Muscovite Micawith High Room-Temperature Hole Mobility
Kobtsev Danil, Albert J., Nitzan M. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2026 Vol. 16 No. 17 Article 8577
Добавлено: 30 августа 2026 г.
Сборник трудов XXXII Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь»
Воронеж: Издательский дом ВГУ, 2026.
В сборник вошли материалы XXXII Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» (RLNC*2026), прошедшие ре цензирование членами программного комитета конференции. Основной целью конференции является организация взаимодействия научных и научно технических коллективов для обмена опытом и новыми творческими успехами. Достижение этой цели также способствует внедрению перспективных разрабо ток, имеющих практическое значение для дальнейшего развития промышленно сти, экономики ...
Добавлено: 29 августа 2026 г.
Pyramidal solitons: existence, instability, and interactions
Мельников И. Е., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 No. 114 Article 934
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Robust CsPbBr3@SiO2 Nanocrystals with Controlled Shell Growth for Stable High-Resolution X‑ray Scintillation Imaging
Жуков А. Е., Liang Y., Zhang X. и др., ACS Applied Nano Materials 2026 Vol. 9 No. 32 P. 15224–15232
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Non-epitaxial perovskite polariton laser diode operating under direct current
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Nature 2026 Vol. 656 P. 80–85
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Understanding the electric double layer at electrode–electrolyte interfaces, Part III: crystallographic-face dependence of silver capacitance in aqueous NaF solutions
Мазур Д. А., Petr E. Brandyshev, Doronin S. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 577 Article 149729
Добавлено: 20 августа 2026 г.
Giant magnetocaloric effect in the quaternary Fe–Rh–Pd–Ir alloy: Experimental and first-principles study
Gimaev R., Karpenkov A., Shelkovyi F. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1080 Article 190307
Магнитотермические свойства четвертичного сплава Fe49Rh46.1Pd3.1Ir1.8 исследованы с помощью комбинации расчетов из первых принципов, структурной характеристики, магнитометрии, калориметрии и прямых измерений адиабатического изменения температуры. Получен исключительный магнитокалорический отклик: ΔTad достигает −11,9 К в поле 1,85 Т в прерывистом режиме и −8,6 К в непрерывном (циклическом) режиме, причем оба значения превышают значения, зарегистрированные на сегодняшний день для ...
Добавлено: 18 августа 2026 г.
Quantum viscosity mechanism of dissipative dynamics in the Dicke model expressed via Lindblad equation of motion
Beck M. E., Сеидов С. С., Mukhin S., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2026 Vol. 113 No. 6 Article 063706
Добавлено: 13 августа 2026 г.
модель поведения КВАНТОВОЙ ЧАСТИЦЫ в потенциальной ЯМе С ПОДВИЖНОЙ СТЕНКОЙ
Карцев А. И., Сафронов А. А., Махов М. И., Журнал радиоэлектроники 2024 № 3
В данной работе найдено аналитическое выражение для энергетического спектра в одномерной потенциальной яме с бесконечно высокими стенками. Одна из стенок с координатой x = 0 неподвижна, другая стенка, имеющая в начальный момент времени координату x = a, движется с постоянной скоростью. Полученные результаты могут быть использованы для модулирования работы вакуумных наноустройств. ...
Добавлено: 16 марта 2026 г.
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Electronic localization on the structural inhomogeneities formed due to Bi and Te deficiency in the MBE grown films of AF topological insulator MnBi2Te4: Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. и др., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
Competitive helical bands and highly efficient diode effect in F/S/TI/S/F hybrid structures
Карабасов Т., Бобкова И. В., Pavel M. Marychev и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23
Добавлено: 22 декабря 2025 г.
Optical properties of disk microresonators based on wide-bandgap III-N materials
S.D. Komarov, Vainilovich A. G., G.A. Feigin и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 209–213
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
Mastering the growth of antimonene on Bi2Se3: Strategies and insights
Flammini R., Hogan C., Colonna S. и др., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору