• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Влияние легирования диспрозием на образование глубоких центров в GaP.

Сказочкин А. В., Крутоголов Ю. К., Алешин В. Д., Петлицкий В. Н., Бондаренко Г.Г.

Исследовано влияние легирования диспрозием жидкофазных слоев фосфида галлия на спектр глубоких уровней. Показано, что концентрация центров донорного типа при этом уменьшается\. в то время как структурные дефекты акцепторного типа интенсивно генерируются.