?
Universal physical model of low-power and long lifetime betavoltaic microbatteries
P. 1-7.
In press
Language:
English
In book
Madrid : [б.и.], 2019
Kofanov Y. N., Sotnikova S., Uvaysov S. U., Динамика сложных систем 2012 № 3 С. 80-84
In article are considered main questions of dynamic optimization process to identifications parameter for inaccuracy reduction of modeling electric, heat and mechanical processes under computer aided design electronic facilities. ...
Added: December 7, 2012
Sotnikova S., Динамика сложных систем 2012 № 3 С. 84-87
In article is described designed programme complex of the physical processes modeling, which also allows to conduct the identification printed node parameters (the physical model). On printed node designed the on-board secondary power supply source is realized. For it are designed relationship interfaces of controlling program with the known program of modeling and optimization. ...
Added: December 5, 2014
Nikolaev D. P., Физика волновых процессов и радиотехнические системы 2013 Т. 16 № 2 С. 101-107
In the article "Secondary electronic emission and methods of its study" by author D.P Nikolaev physical and mathematical process models of secondary electronic emission of secondary electrons, wrested from hurled when irradiating a surface of metal by the flow of primary electrons are considered . Analysis of processes, running in the efficient emitters at the ...
Added: November 25, 2013
Sotnikova S., Uvaysov S. U., В кн. : Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: материалы международной научно-технической конференции (2012). : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2012. С. 497-500.
Предлагается отличный от существующих метод повышения качества автоматизированного проектирования модулей электронных средств, реализованных на печатных платах. Рассматриваемый подход реализован с использованием комплексированной модели, представляющей собой синтез физической и математических моделей фрагмента печатного узла. При этом путём процедуры идентификации уточняются геометрические и физические параметры радиоэлементов и материалов конструкции, необходимые для проведения моделирования электрического, теплового и механического ...
Added: December 20, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Pugachev A. et al., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1353 No. 1 P. 1-7
The complete analysis of I-V characteristics and set of basical parameters (Voc, Jsc, Idark, Pmax, η) for betavoltaic silicon batteries under Nickel-63 irradiation in temperature range 213-330 K is carried out using universal physical TCAD model. The standard TCAD optical generation model was adopted for simulation of electron-hole generation for beta particles irradiation. The pn-junction ...
Added: June 10, 2019
Andreevskaya T. M., Пашев Р. Ю., Abrameshin A. E., В кн. : Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26. Т. 3.: М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 527-530.
В статье дается метод диагностирования интегральных схем на основании идентификации внутренних параметров тестовой структуры в виде полупроводникового диода. ...
Added: November 5, 2013
Tomi M., M.R. Samatov, A.S. Vasenko et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 Article 134513
We study, both theoretically and experimentally, the features on the current-voltage characteristic of a highly transparent Josephson junction caused by transition of the superconducting leads to the normal state. These features appear due to the suppression of the Andreev excess current.We show that by tracing the dependence of the voltage, at which the transition occurs, ...
Added: October 24, 2021
Zavorotnaya U., Igor I. Ponomarev, Volkova Y. et al., Materials 2020 Vol. 22 No. 13 Article 5297
The sulfonated polynaphthoyleneimide polymer (co-PNIS70/30) was prepared by copolymerization of 4,4′-diaminodiphenyl ether-2,2′-disulfonic acid (ODAS) and 4,4’-methylenebisanthranilic acid (MDAC) with ODAS/MDAC molar ratio 0.7/0.3. High molecular weight co-PNIS70/30 polymers were synthesized either in phenol or in DMSO by catalytic polyheterocyclization in the presence of benzoic acid and triethylamine. The titration reveals the ion-exchange capacity of the polymer ...
Added: October 20, 2022
Kofanov Y. N., Sotnikova S., Lemanskiy D. A., , in : Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific–practical conference. Part 2. * 2.: M. : HSE, 2014. P. 616-620.
The paper is devoted to the development of a new method for computer modelling accuracy increase in case of the circuit and designer project decisions making. The original idea of joint consideration of electric, thermal and mechanical processes mathematical models with the physical model presented in the form of the representative fragment design of electronic ...
Added: March 10, 2015
50584562, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky et al., Advanced Materials Research 2015 Vol. 1083 P. 185-189
I-V-characteristics of an irradiated transistor in many cases should be measured inside the radiation chamber with long cables, which introduces noticeable measurement error. In this paper I-V-characteristics of an irradiated bipolar junction transistor measured with the 4-wire and the 2- wire circuits are presented and compared to direct (without cables) measurements. Significant enlargement of measurement ...
Added: February 18, 2016
Chernov A. A., М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2006
Кратко изложены физические принципы работы вакуумного диода. Представлены описание экспериментальной установки и методика выполнения лабораторной работы.
Предназначены для студентов III-го курса специальности 210104 “Микроэлектроника и твердотельная электроника”. ...
Added: June 22, 2012
Konstantin O. Petrosyants, Popov D., , in : 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015. Vol. 119.: P. : Atlantis Press, 2015. P. 174-176.
The models of electro-physical effects built-into Sentaurus TCAD have been tested. The models providing an adequate modeling of deep submicron high-k MOSFETs have been selected. The gate and drain leakage currents for 45 nm MOSFET with PolySi gate and SiO2, SiO2/HfO2 and HfO2 gate dielectrics have been calculated using TCAD. It has been shown that ...
Added: February 20, 2016
Lysenko A. P., М. : МИЭМ, 2011
Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 210104 «Твердотельная электроника и микроэлектроника», а также для магистратуры по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника». В пособии рассматриваются особенности пробоя реальных p-n-переходов и обсуждаются методы повышения пробивного напряжения.
Список русскоязычной учебной литературы, посвященной физическим процессам в p-n-переходе, весьма широк. Достаточно сказать, что, начиная с классических монографий А.И. ...
Added: April 13, 2012
Lysenko A. P., М. : МИЭМ, 2009
Рассматриваются вопросы теории работы p-n-перехода: процессы формирования запорного слоя, равновесное состояние перехода, прохождение тока через переход, импульсные и частотные свойства, пробой перехода. ...
Added: April 13, 2012