?
Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
Письма в Журнал технической физики. 2025. Т. 51. № 11. С. 41–45.
Moiseev E., Komarov S., Ivanov K., Цацульников А. Ф., Луценко Е. В., Войнилович А. Г., Сахаров А. В., Артеев Д. С., Николаев А. Е., Заварин Е. Е., Масютин Д. А., Пивоварова А. А., Ильинская Н. Д., Смирнова И. П., Марков Л. К., Zhukov A., Kryzhanovskaya N.
Gurina D., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. et al., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
In this work, we combine experimental characterization and molecular dynamics (MD) simulations to elucidate the molecular mechanisms governing the impregnation of mefenamic acid (MFA) into nanocrystalline cellulose (NCC) aerogels. NCC aerogels were impregnated with MFA in scCO2, and low-temperature nitrogen adsorption revealed a concentration-dependent decrease in surface area, pore volume, and pore size, with an ...
Added: September 8, 2026
Huang D., Chen Y., Luo X. et al., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Using self-consistent Bogoliubov-de Gennes calculations for kagome flakes framed by armchair
and flat edges, we observe a configuration-dependent spatial inhomogeneity of an 𝑠-wave superconducting
condensate. Specifically, at half-filling, the local pair potential is significantly enhanced
by up to 77.8% at edge centers and up to 148.9% at corners, subsequently boosting their
local critical temperatures by up to 13.5% and ...
Added: September 7, 2026
Marychev P., Shanenko A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
We investigate the effect of weak interband impurity scattering on the intertype (IT) domain between type-I and type-II superconductivity in diffusive two-band superconductors. Our results show that the significant broadening of the IT domain with increasing band diffusivity ratio, previously established in the absence of interband scattering, persists under weak interband scattering. However, depending on ...
Added: September 7, 2026
Denis K., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Added: September 6, 2026
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Denis K., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
A model of quasistationary states is constructed for the one-dimensional edge states propagating along the edge of a two-dimensional topological insulator based on HgTe/CdTe quantum well in the presence of magnetic barriers with finite transparency. The lifetimes of these quasistationary states are found analytically and numerically via different approaches including the solution of the stationary ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Dorokhin M. V., Ved M. V. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
The GaAs/InGaAs quantum wells with a ferromagnetic δ〈Mn〉 layer in GaAs barrier demonstrate a set of interesting spin-related phenomena originating from Mn-hole interaction. One of such phenomena is a spin-memory effect which consists of Mn spin polarization induced by interaction with vicinity spin-polarized holes generated under the exposure by short circularly polarized light pulses. Here long Mn ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. et al., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
We have investigated the layers of the (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor with the thickness in the range of 150 – 400 nm, which have been formed by the combination of the methods of a pulsed laser deposition and a post-growth pulsed laser annealing. It has been found that the laser annealing has a significant effect on the structural, ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
A model of bound state formation from the delocalized edge states of 2D topological insulator (TI) is derived by considering the effects of magnetic barriers attached to the edge of the HgTe/CdTe quantum well. The resulting structure has a spatial form of 1D quantum dot (QD) with variable number of bound states depending on barrier ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Single-spin state evolution induced by the Landau-Zener-Stückelberg-Majorana (LZSM) interference in a Zeeman-spit four-level system in a periodically driven double quantum dot is studied theoretically by the Floquet stroboscopic method. An interplay between spin-conserving and spin-flip tunneling processes with the electric dipole spin resonance (EDSR) that is induced in an individual dot and enhanced by the ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Added: September 6, 2026
Ivanov K., Fedosov I. S., Войтович В. И. et al., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 53–58
The paper presents the model of a microdisk laser – photonic crystal defect waveguide coupling system. Different finite dimensions of photonic crystals are taken into account. It is shown that coupling to a photonic crystal waveguide allows to increase the output power while maintain quality factor, which is not what a traditional coupling to a ...
Added: June 4, 2026
Fedosov I. S., Fominykh N., Kryzhanovskaya N. et al., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 7 С. 388–391
The power and spectral characteristics of the radiation of a semiconductor microdisk laser with a diameter of 40 µm, monolithically integrated with an optical waveguide, have been studied. To reduce absorption in the waveguide, current pumping was used. In the light–current dependence, features associated with the onset of generation at a longer-wavelength resonance are observed. ...
Added: February 27, 2026
Fedosov I. S., Fominykh N., Kryzhanovskaya N. et al., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 200–204
We investigate the mode composition of a microdisk laser coupled with an optical waveguide. The output spectra of emission and light-current characteristic of the microlaser obtained from the output edge of the waveguide are studied. The microlaser demonstrates single-mode emission in consecutive ranges of injection currents, that are alternated with pronounced mode hoping. The intensity ...
Added: January 12, 2026
S.D. Komarov, Vainilovich A. G., G.A. Feigin et al., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 209–213
Fabrication, optical study, and mode modeling of III-N microdisk resonators with InGaN/GaN quantum wells on Al2O3 are presented. It is shown that the created epitaxial structures have high optical quality, and the microresonators support high-Q whispering gallery modes. ...
Added: December 11, 2025
Natalia V. Kryzhanovskaya, Sergey D. Komarov, Eduard I. Moiseev et al., IEEE Photonics Technology Letters 2026 Vol. 38 No. 4 P. 243–246
III-N ring microlasers on a silicon substrate with InGaN/GaN active layers emitting near 420 nm were investigated. The growth conditions and fabrication steps were optimized to realize stable lasing under optical pumping in cavities with a diameter of 6-10 um. Chemically sensitive transmission electron microscopy images indicate that InGaN layers present in form of isolated ...
Added: November 18, 2025
Konstantin A. Ivanov, Alexey E. Zhukov, Eduard I. Moiseev et al., Journal of Applied Physics 2025 Vol. 138 No. 10 Article 103104
Microlasers supporting whispering gallery modes attract great interest because of their potential use in photonic integrated circuits: they have size just an order of magnitude larger than their emission wavelength and exhibit good thermal and dynamic properties. It is usually assumed that in disk microlasers a whispering gallery mode of the highest azimuthal order and ...
Added: September 11, 2025
Anna Obraztsova, Ivan Makhov, Ivan Melnichenko et al., Journal of Lightwave Technology 2025 Vol. 43 No. 15 P. 7278–7284
Spectral characteristics of quantum dot (QD) microdisk lasers under spatially inhomogeneous optical excitation are
investigated. By varying the position and size of the continuous wave excitation spot over the laser cavity, we demonstrate controllable selection and switching of lasing whispering gallery modes (WGMs) at room temperature. Experimental results show that shifting the excitation spot across the ...
Added: September 5, 2025
Образцова А. А., Пивоварова А. А., Komarov S. et al., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 1 С. 37–42
Представлен подход к созданию микролазеров с квантовыми точками на подложках GaAs с дисковым резонатором, электрическим контактом мостикового типа и опорной мезой, сформированными методом жидкостного химического травления. Мостиковая конструкция представляет собой две соединенные подвешенной золотой балкой мезаструктуры, одна из которых является, собственно, микродисковым резонатором, а вторая служит для создания вынесенного электрического контакта. Предложенный метод открывает пути ...
Added: May 26, 2025
Бабичев А. В., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 5 С. 41–44
Представлены результаты исследования расщепления мод шепчущей галереи в лазерах спектрального диапазона 930-950 nm на основе вертикального микрорезонатора. Использование распределенных брэгговских отражателей на основе чередующихся слоев Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As, не поглощающих на длине волны накачного лазера, позволило снизить величину пороговой мощности оптической накачки до 180 μW (для 3 μm-микролазера). Добротность микрорезонатора на пороге генерации для мод шепчущей галереи ...
Added: April 30, 2025
Babichev A., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2025 Vol. 31 No. 2 Article 1502808
We report on microlasers based on high-quality micropillars with whispering-gallery modes lasing. The use of lowabsorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As distributed Bragg reflectors and smooth pillar sidewalls enables whispering-gallery modes lasing by excitation and collection of emission in the pillar axis direction. Simultaneous whispering gallery modes lasing (comblike structure) is observed in the wavelength range of 930–970 nm ...
Added: January 9, 2025
I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov et al., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216
The propagation of whispering gallery modes of a quantum-dot injection disk laser into a GaAs substrate has been investigated experimentally and using simulation. For a 50 μm diameter microlaser with 1.5-μm-thick Al0.4Ga0.6As claddings, the intensity of the mode leaking into the substrate can be up to 10–3 of the intensity of the laser mode in ...
Added: December 23, 2024