?
Исследование влияния квантово-размерного эффекта на сверхпроводящий переход в тонких пленках алюминия
С. 214–215.
Publication based on the results of:
In book
М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2024.
Porokhov N. V., Dryazgov M. A., Shevchenko A. R. et al., Superconductor Science and Technology 2026 Vol. 39 No. 2 Article 025026
This work investigates the effect of a scandium nitride (ScN) buffer layer on the superconducting properties of niobium nitride (NbN) thin films. The use of a ScN buffer layer significantly improves the characteristics of 29 nm-thick NbN films: the critical temperature increases from 9 K to 12.5 K, while the resistivity at 20 K decreases from 330 µΩ·cm ...
Added: March 1, 2026
Безымянных Д. Г., Pugach N., Sedov E. et al., Известия РАН. Серия физическая 2025 Т. 89 № 2 С. 328–332
The oscillations of the order parameter arising due to the spatial quantization of electronic states
in a quantum well formed by the boundaries of a thin film of superconducting aluminum were theoretically
studied. In such objects, with decreasing thickness, a noticeable increase in the critical temperature and
broadening of the superconducting transition are observed. These effects are interpreted ...
Added: November 17, 2024
Безымянных Д. Г., Pugach N., Sedov E. et al., Известия Уфимского научного центра РАН 2024 № 1 С. 55–60
In the modern world, there's a notable trend towards the active miniaturization of electronic devices. With technological advances enabling the manipulation of nanostructures, there's an increasing focus on exploring quantum effects pivotal to such designs. One distinguishing feature of nanostructures is the quantum nature of the electron's energy spectrum. This spectrum becomes discrete in directions ...
Added: November 12, 2024
Ilin A., Стругова А. О., Кон И. А. et al., В кн.: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1Т. 1: Секции 1, 2, 4, 6.: Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 105–106.
Обнаружена сверхпроводимость в пленках RuN, полученных методом реактивного магнетронного распыления. Критическая температура сверхпроводящего перехода составляет от 0,77 до 1,29 К, в зависимости от подложки. Определены параметры кристаллической решетки сверхпроводящих пленок: решетка кубическая с параметрами a = b = c = 4.5586 Å, a = b = g = 87.96°. Результаты измерения температурных зависимостей второго критического магнитного ...
Added: March 26, 2023
Arutyunov K., Sedov E., Zavyalov V. et al., Физика металлов и металловедение 2023 Т. 124 № 1 С. 56–60
Экспериментально исследованы R(T) зависимости тонких сверхпроводящих пленок алюминия, изготовленных на подложках из лейкосапфира и арсенида галлия методом электронно-лучевого распыления и молекулярно-лучевой эпитаксии. Безотносительно к морфологии, был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта. ...
Added: November 24, 2022
Уставщиков С. С., Путилов А. В., Aladyshkin A. Y., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 С. 476–482
Методами низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии изучены спектры дифференциальной туннельной проводимости для ультратонких пленок свинца, выращенных на монокристаллах кремния Si(111)7 × 7, с толщиной от 9 до 50 монослоев свинца. Для таких систем характерно существование локальных максимумов туннельной проводимости, причем положение максимумов дифференциальной проводимости определяется спектром размерно–квантованных состояний электронов в металлическом слое и, следовательно, ...
Added: September 15, 2022
Путилов А. В., Уставщиков С. С., Божко С. И. et al., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 С. 789–796
Методами низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии исследована пространственная зависимость дифференциальной проводимости ультратонких Pb пленок, осажденных на поверхность Si(111)7×7. Для Pb пленок характерно наличие квантово-размерных состояний электронов проводимости и, соответственно, максимумов дифференциальной туннельной проводимости, при этом их энергия определяется в основном локальной толщиной Pb слоя. Обнаружено, что величина туннельной проводимости в пределах атомарно-гладких террас может ...
Added: September 15, 2022
Baeva E., Titova N. A., Veyrat L. et al., Physical Review Applied 2021 Vol. 15 No. 5 Article 054014
We examine the role of a silicon-based amorphous insulating substrate in the thermal relaxation in thin NbN, InOx, and Au/Ni films at temperatures above 5 K. The samples studied consist of metal bridges on an amorphous insulating layer lying on or suspended above a crystalline substrate. Noise thermometry is used to measure the electron temperature Te of the films as a ...
Added: June 14, 2021
Sedov E., Zavyalov V., Arutyunov K., Известия Уфимского научного центра РАН 2021 № 1 С. 39–43
In the middle of the last century, it was demonstrated that with a decrease in the size of superconducting structures, for example, the thickness of a thin film, its critical temperature TC shifts by a certain amount. It increases in aluminum, tin, and indium, and decreases in mercury, niobium, and lead. However, there is still ...
Added: January 25, 2021
Ksenz A. S., Stolyarov V. S., Chekmazov S. V. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 98 P. 155440
Proximity phenomena between superconductors and topological semimetals are at the heart of the search for novel quantum states of matter. Here we show that the epitaxial interface between one- to three-atomic-layer Pb and the Sb(111) substrate has extremely high electronic transparency. As a result, Pb loses its superconducting and even its metallic properties; its electronic ...
Added: January 27, 2020
Ionov A. M., Chichkov V. I., Shamrai A. V. et al., Materials Letters 2020 Vol. 260 P. 1–4
We report a study of epitaxial superconductive NbN films on vicinal to the X-cut of single crystal LiNbO3 substrates grown using reactive magnetron sputtering of Nb target in Ar -N2 atmosphere. It is found that the NbN films reveal sharp superconductive transition at TC= 15.2 K and anisotropy of critical current. Critical current measured along ...
Added: December 13, 2019
Golokolenov I., Sedov E., Zavyalov V. et al., , in: IX International Conference for Professionals & Young Scientists LOW TEMPERATURE PHYSICS ICPYS LTP 2018.: Kharkov: FOP Mezina Kharkiv, 2018. P. 70–70.
Even back in 1938 an increase of the superconducting critical temperature with a reduction of
an Al film thickness was observed, while some other superconductors exhibit an opposite
dependence[1,2]. Despite the long history of studying, the nature of this size-effect is still
disputable. Presumably, origin of that effect is attributed to amorphous phase, impurities or
other essential inhomogeneities in ...
Added: October 31, 2019
Smirnov K., Zolotov P., Divochiy A. et al., KnE Energy & Physics 2018 Vol. 2018 P. 83–89
We optimized technology of thin VN films deposition in order to study VN-based superconducting single-photon detectors. Investigation of the main VN film parameters showed that this material has lower resistivity compared to commonly used NbN. Fabricated from obtained films devices showed 100% intrinsic detection efficiency at 900 nm, at the temperature of 1.7 K starting ...
Added: October 25, 2019
Saveskul N. A., Titova N. A., Baeva E. et al., Physical Review Applied 2019 Vol. 12 No. 5 P. 1–10
We analyze the evolution of the normal and superconducting properties of epitaxial TiN films, characterized by high Ioffe-Regel parameter values, as a function of the film thickness. As the film thickness decreases, we observe an increase of the residual resistivity, that becomes dominated by diffusive surface scattering for d≤20nm. At the same time, a substantial thickness-dependent ...
Added: October 10, 2019
Arutyunov K., Sedov E., Golokolenov I. et al., Физика твердого тела 2019 Т. 61 № 9 С. 1609–1613
Экспериментально исследовались высококачественные пленки алюминия на подложках из GaAs. Был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта, влияющего как на плотность состояний электронов, так и на электрон-фононное взаимодействие. ...
Added: September 14, 2019
Krause S., Mityashkin V., Antipov S. et al., IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology 2017 Vol. 7 No. 1 P. 53–59
In this paper, we investigated the influence of the GaN buffer layer on the phonon escape time of phonon-cooled hot electron bolometers (HEBs) based on NbN material and compared our findings to conventionally employed Si substrate. The presented experimental setup and operation of the HEB close to the critical temperature of the NbN film allowed ...
Added: February 22, 2017
Korneeva Y., Mikhailov M., Pershin Y. et al., Superconductor Science and Technology 2014 Vol. 27 No. 9 P. 095012
We fabricated and characterized nanowire superconducting single-photon detectors made of 4 nm thick amorphous Mo x Si1−x films. At 1.7 K the best devices exhibit a detection efficiency (DE) up to 18% at 1.2 <img /> wavelength of unpolarized light, a characteristic response time of about 6 ns and timing jitter of 120 ps. The ...
Added: March 31, 2015