?
«Смешанное моделирование ступенчатого биполярного транзистора с минимальным топологическим размером 20 Нм и толщиной базы 3 Нм» The mixed simulation of the graduated bipolar transistor with a 20 µm minimum topological size and 3 µm base thickness
Качество. Инновации. Образование. 2009. № 54. С. 48-61.