Самбурский Лев Михайлович
- Заместитель руководителя департамента, Доцент, Старший научный сотрудник:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
- Научно-педагогический стаж: 18 лет.
Полномочия / обязанности
- исполняет обязанности заместителя руководителя департамента;
- совместно с руководителем и ведущими учеными департамента, академическими руководителями образовательных программ формирует концепцию и планы развития департамента в части организации научной работы;
- контролирует научную и исследовательскую работу ППС, в том числе: участие в научных конкурсах НИУ ВШЭ, РФФИ, ФЦП и других, координирует работы по проведению научных конференций и семинаров;
- координирует деятельность Академического совета департамента по научной работе;
- организует совместно с академическими руководителями ОП научно-исследовательскую работу студентов: участие в конкурсах НИУ ВШЭ и внешних организаций, творческих соревнованиях, олимпиадах и выставках;
- контролирует работу по международному сотрудничеству, в том числе: участие в программах академической мобильности НПР и студентов, подготовка Соглашений о сотрудничестве с ведущими зарубежными университетами и научными центрами, а также подготовка к участию в международных конкурсах научных и исследовательских работ;
- контролирует работу по наполнению информационных ресурсов департамента, включая сайт академического совета по научной работе и персональные страницы сотрудников департамента (в части результатов научной работы);
- по поручению руководителя департамента представляет департамент в структурных подразделениях НИУ ВШЭ и вне НИУ ВШЭ;
- координирует выполнение департаментом решений органов управления НИУ ВШЭ, ученых советов НИУ ВШЭ, МИЭМ, и директора МИЭМ (в части организации научной работы);
- выполняет иные обязанности, установленные локальными нормативными актами НИУ ВШЭ.
Образование, учёные степени
- 2013Кандидат технических наук
- 2003
Специалитет: Московский государственный институт электроники и математики, факультет: Автоматики и вычислительной техники, специальность «Вычислительные машины, комплексы, системы и сети», квалификация «Инженер»
Решением диссертационного совета при ИППМ РАН от 23.12.2013 №78 (утверждено приказом Министерства образования и науки РФ от 26.05.2014 №284/нк-10) присвоена учёная степень кандидата технических наук по специальности 05.13.12.
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
Повышение квалификации / Центр повышения квалификации НИУ ВШЭ. Программа «Современные подходы к управлению проектами». Период: декабрь 2023 г. Объём: 20 часов. Удостоверение №186991. Файл
Стажировка / ООО "Форм". Программа по работе с тестером Formula 2K. Период: апрель 2019 г. Объём: 16 часов. Удостоверение №446. Файл
Повышение квалификации / Методический центр НИУ ВШЭ. Программа «Актуальные проблемы методической работы в вузе (Методические среды в НИУ ВШЭ)». Период: октябрь--декабрь 2016 г. Объём: 38 часов. Удостоверение №080620. файл
Повышение квалификации научно-педагогических работников НИУ ВШЭ по теме "Методические основы реализации компетентностного подхода в НИУ ВШЭ и разработки КИМ к образовательным стандартам НИУ ВШЭ". Период: сентябрь 2014. Сертификат
Достижения и поощрения
- Медаль "Признание - 15 лет успешной работы" НИУ ВШЭ (декабрь 2022)
- Благодарность Дирекции по работе с одаренными учащимися НИУ ВШЭ (сентябрь 2022)
- Благодарность первого проректора НИУ ВШЭ (январь 2021)
- Благодарность МИЭМ НИУ ВШЭ (май 2018)
Лауреат премии "Золотая Вышка" – 2019 в номинации Успех педагога
Лучший преподаватель – 2024, 2022, 2019, 2018, 2017, 2016, 2015, 2014
- Персональная надбавка ректора (2013-2014)
Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018-2019)
Учебные курсы (2024/2025 уч. год)
- Проектный семинар "Введение в специальность" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2023/2024 уч. год)
- Проектный семинар "Введение в специальность" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
- Компоненты инфокоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 4-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Проектирование электронных компонентов и устройств инфокоммуникационной техники (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 4-й курс, 3 модуль)Рус
- Проектно-исследовательский семинар (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2020/2021 уч. год)
- Компоненты инфокоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 4-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Проектирование электронных компонентов и устройств инфокоммуникационной техники (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 4-й курс, 3 модуль)Рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Конференции
- 2020
Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта). Доклад: SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры
- 2018XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
- XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
- Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
- Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2017XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2016
The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Доклад: Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
- XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
- 2015
EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
- ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
- ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского (Москва). Доклад: Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения
20231
20222
- Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Sambursky L. M. Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C), in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
- Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi
20212
- Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 117-120. doi
20208
- Статья Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature // Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6. doi
- Глава книги Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina. Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology, in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-7. doi
- Глава книги Ismail-zade M. R., Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Zhang X., Li B., Luo J., Han Z. SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 97-103. doi
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 229-232. doi
- Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
- Глава книги K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C. TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 4. ИППМ РАН, 2020. P. 2-8. doi
- Статья K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky. The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2020. Vol. 49. No. 7. P. 501-506. doi
- Глава книги Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 232-235. doi
20191
20185
- Глава книги Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Dvornikov O. V., Lvov B. G., Kharitonov I. A. Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-5. doi
- Глава книги Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade, Alexander S. Boldov, Borislav S. Dubyaga. Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 609-613. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.
201710
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Safonov S. O., Stakhin V. G. Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C) // Microelectronics and Reliability. 2017. Vol. 79. P. 416-425. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R. Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Stakhin V. G., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R., Ignatov P. V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C, in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017. Denver : IEEE, 2017. P. 229-234. doi
- Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation / Пер. с рус. // Measurement Techniques. 2017. Vol. 59. No. 10. P. 1104-1111. doi
- Статья Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov, Boris G. Lvov. Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model // Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA). 2017. Vol. 33. No. 1. P. 37-51. doi
- Глава книги Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю., Четвериков И. А., Даныкин В. С. Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 55-56.
- Глава книги Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 53-54.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС // В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
- Книга Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие / Под общ. ред.: К. О. Петросянц. М. : Солон-Пресс, 2017.
20168
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-4. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Lvov B. G. Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model, in: Proceedings of the IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016). NY : The Institute of Electrical and Electronics Engineering, Inc., 2016. P. 117-122. doi
- Статья Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky, I. A. Kharitonov. TCAD Leakage Current Analysis of a 45 nm MOSFET Structure with a High-k Dielectric / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463. doi
- Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A. Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C), in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). IEEE, 2016. P. 250-254. doi
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, С. А. Аксенов, У. В. Аристова, Л. Н. Кечиев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, А. Б. Лось, И. С. Смирнов, Н. С. Титкова. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280-281.
- Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Кожухов М. В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника. 2016. № 10. С. 55-60.
- Глава книги Лебедев С. В., Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Стахин В. Г., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р. Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм. // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 237-238.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш. Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
201510
- Статья Petrosyants K., I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, M. V. Kozhukhov. IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors // Advanced Materials Research. 2015. Vol. 1083. P. 185-189. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Mokeev A. S. Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 23-26. doi
- Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M. SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects, in: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308. doi
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 1. С. 38-43.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 239-240.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Мокеев А. С. Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик // В кн.: Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник. Лыткарино МО : [б.и.], 2015. С. 109-110.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C) // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
- Глава книги Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, В. Н. Азаров, У. В. Аристова, М. В. Карасев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, Б. Г. Львов, Н. С. Титкова, С. У. Увайсов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263.
- Статья Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС // Информационные технологии. 2015. Т. 21. № 12. С. 916-922.
- Глава книги Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Олухов В. Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
20144
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence, in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3 / Ed. by S. U. Uvaysov. Part 3. M. : HSE, 2014. P. 244-253.
- Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2014. № 1 (232). С. 3-18.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. ПОДСИСТЕМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С УЧЕТОМ ДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАДИАЦИИ // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 475-478.
- Книга Л. М. Самбурский, М. В. Кожухов, Д. А. Попов Проектирование логической схемы на основе БМК «Мелисса»: Методические указания у выполнению домашнего задания по дисциплине «Микросхемотехника». М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
20135
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Cравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303-309.
- Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 718–720. P. 750-755. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. The Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects, in: Book of Abstracts of the 3rd International Conference on Advanced Measurement and Test , Xiamen, China, March 13-14, 2013. Xiamen : , 2013. P. 35-36.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Богатырев В. Н., Поварницына З. М., Щекин А., Гоманилова Н. Б. Проектирование радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП-технологии // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 296-302.
- Глава книги Орехов Е. В., Пугачёв А. А., Самбурский Л. М., Торговников Р. А. Учет эффекта релаксации упругих напряжений в приборно-технологической модели SiGe/SOI ГМОПТ // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции / Отв. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Савченко Е. М., А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов. М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 253-255.
20125
- Глава книги Петросянц К. О., Самбурский Л. М. SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г. / Отв. ред.: А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов; науч. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 116-121.
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Bogatyrev V., Povarnitcyna Z., Drozdenko E. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П., Воеводин А. В. Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 413-418.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Адонин А. С. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П. Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21-32.
20113
- Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Yatmanov A. SOI/SOS MOSFET Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462.
- Глава книги Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A. TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190.
- Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.
20105
- Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Зимин А. Е., Ятманов А. П., Устименко С. Н., Воеводин А. В., Суховирский Д. М., Тихонов Е. В., Захаров А. Г., Карачкин С. В. Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Ятманов А. П. Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73-78.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Осипенко П. Н., Горбунов М. С. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
- Статья Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.
20092
- Книга Доморацкий Е. П., Самбурский Л. М. Моделирование фунциональных узлов ЭВМ с помощью программы Electronics Workbench. Методические указания к лабораторным, семинарским и курсовым работам по курсу “Организация ЭВМ и систем”. М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2009.
- Книга Доморацкий Е. П., Самбурский Л. М. “Моделирование фунциональных узлов ЭВМ с помощью программы Electronics Workbench”. Методические указания к лабораторным, семинарским и курсовым работам по курсу “Организация ЭВМ и ситем” / Под общ. ред.: С. П. Клышинская, О. Г. Завьялова. М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2009.
20051
Научный руководитель диссертационных исследований
- 1Хлынов П. А. Разработка компактных SPICE-моделей силовых полупроводниковых приборов с учётом разброса температурно-зависимых параметров (aспирантура: 2-й год обучения)
- 2Федотов А. В. Исследование структурных и электрофизических свойств пленок поликристаллического кремния для создания малогабаритных резисторов (aспирантура: 4-й год обучения)
Опыт работы
Опыт преподавательской работы
С 2002 г. работал техником на кафедре Электроники и электротехники МИЭМ. С 2003 г. по 2006 г. во время обучения в аспирантуре проходил там же педагогическую практику.
С 2006 г. работал в МИЭМ на кафедре Электроники и электротехники в должности ассистента, с 2007 г. по июнь 2012 г. в должности старшего преподавателя; с сентября 2012 г. по март 2015 г. в МИЭМ НИУ ВШЭ на кафедре Электроники и наноэлектроники в должности старшего преподавателя; с марта 2015 г. по наст. время доцент департамента Электронной инженерии НИУ ВШЭ. Читал лекции и вёл занятия других видов (практические, лабораторные, курсовые работы, приём зачётов и экзаменов) по курсам «Теоретические основы электротехники», «Теория электрических цепей», «Электротехника и электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника», «Введение в инфокоммуникационные технологии и системы» у студентов специалитета и бакалавриата; научно-исследовательский семинар у студентов магистратуры; руководил и консультировал по выполнению дипломных проектов специалистов, бакалавров и магистрантов.
Опыт научной работы
С 2003 г. работаю по трудовому договору инженером в НИИ МЭИИТ МИЭМ – НИИ микроэлектроники и информационно-измерительной техники МИЭМ; с 2006 г. по 2019 г. научным сотрудником.
С 2011 по 2013 г.г. являлся штатным научным сотрудником отдела Автоматизации проектирования аналоговых схем Института проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН). С 2013 г. по настоящее время там же по совместительству.
В 2013 году являлся сотрудником научной лаборатории в ЦФИ НИУ ВШЭ.
В качестве научного работника в МИЭМ, НИИ МЭИИТ и ИППМ РАН был исполнителем более, чем в 25 НИР и ОКР с предприятиями Минобороны, Роскосмоса, Росатома, а также по заказу Минобрнауки. Моё участие в этих работах заключалось в разработке, исследовании, адаптации и применении в схемотехническом моделировании компактных моделей КМОП фотодиодных элементов и МОП-транзисторов микронного, субмикронного и глубоко субмикронного размера, в том числе со структурой КНИ/КНС («кремний на изоляторе/сапфире»), с учётом различных видов радиационного и светового воздействия; экстракции параметров различных компактных моделей; проведении электрических и радиационных испытаний тестовых структур и опытных образцов.
Информация*
- Общий стаж: 19 лет
- Научно-педагогический стаж: 18 лет
- Преподавательский стаж: 16 лет
Опубликованные тезисы докладов
- Самбурский Л. М. Экспериментальное определение параметров полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем, подвергнутых воздействию радиации // Материалы 2‑й Международной молодёжной научной школы «Приборы и методы экспериментальной ядерной физики. Электроника и автоматика экспериментальных установок», г. Дубна, Моск. обл., Объед. ин‑т ядерных исслед., ноябрь 2011
Дополнительные сведения
Научный сотрудник Института проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН)
(отдел автоматизации проектирования аналоговых схем)
Проекты ученых МИЭМ НИУ ВШЭ завоевали две медали на Международном Салоне изобретений и инновационных технологий «Архимед»
С 19 по 21 марта 2024 г. в выставочном зале бизнес-центра «Амбер-Плаза» проходил XXVII Московский Международный Салон изобретений и инновационных технологий «Архимед». Участниками Салона стали представители 272 организаций из 28 государств и 30 регионов Российской Федерации, которые продемонстрировали широкой научно-технической общественности 570 российских и 198 зарубежных инновационных проектов и изобретений, в том числе два проекта МИЭМ НИУ ВШЭ.
Учителя и ученики растут вместе!
От МИЭМ НИУ ВШЭ на Школу молодых ученых «Микроэлектроника-2021» прибыла делегация «учителей» и «учеников».
Ученые и студенты МИЭМ приняли участие в VI Международном Форуме «Микроэлектроника 2020»
В рамках Форума, который прошел 22-24 сентября в Гурзуфе, состоялись XIII Международная Конференция «Кремний-2020» и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, где миэмовцы представили свои доклады. Студенческий доклад Дмитрия Звягинцева был признан лучшим в своей секции.
Магистранты 2 курса стали дипломантами Ежегодной межвузовской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В.Арменского
Магистранты образовательной программы "Инжиниринг в электронике" получили дипломы 2 и 3 степени в секции 3а «Электроника и приборостроение» Ежегодной межвузовской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В.Арменского, которая прошла в МИЭМ НИУ ВШЭ в период с 25 февраля по 4 марта 2020.
Подводим итоги постерной проектной сессии 2019/2020 учебного года
Подводим итоги голосования экспертов и гостей постерной сессии, а также продолжаем рассказ о студенческих проектах.
Представляем лауреатов МИЭМ в номинации «Серебряный Птенец-2019»
27-го ноября были объявлены победители «Золотой Вышки». Премию в номинации «Серебряный птенец» получили три студента МИЭМ: Кирилл Седов, Сергей Мигалин и студент аспирантуры Евгений Лежнев. Рассказываем главное о победителях.
Коллеги поздравляют Льва Самбурского с присвоением премии «Золотая Вышка-2019» в номинации «Успех педагога»!
Сотрудники департамента электронной инженерии от души поздравляют доцента, заместителя руководителя департамента Самбурского Льва Михайловича с присвоением звания лауреата премии «Золотая Вышка - 2019» в номинации «Успех педагога» по группе точных, естественных наук, информатики и инженерии.
Контроль электронных компонентов и другие важные исследования – в основе взаимоотношений с компанией «ФОРМ»
29 мая в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел семинар «Современные инструменты контроля и исследований электронной компонентой базы», организованный совместно департаментом электронной инженерии МИЭМ и предприятием ООО «ФОРМ», разработчиком и производителем автоматизированных средств измерений электронных компонентов - Тестеров FORMULA.
Актуальные проблемы спецстойкой электроники
С 10 по 11 апреля 2019 в г. в загородном отеле «Чайка» (Нижегородская область, поселок Жёлнино), прошла конференция «Спецстойкая микроэлектроника 2019». Конференция организована Госкорпорацией «Росатом» в Нижнем Новгороде. Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, проектирования, производства и применения отечественной стойкой электронной компонентной базы; содействовать развитию отечественной стойкой микроэлектроники.
Событие года в мире микроэлектронных технологий
С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.
Точные измерения – основа качества и безопасности
С 15 по 17 мая 2018 года в Москве на ВДНХ в павильоне №75 прошли 14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», на которой МИЭМ НИУ ВШЭ представлял свои разработки.
Студенты МИЭМ НИУ ВШЭ - лауреаты всероссийской олимпиады по электронике.
Продолжаем поздравлять наших студентов с достижениями во Всероссийской студенческой олимпиаде. Команда из четырёх студентов МИЭМ НИУ ВШЭ, подготовленная преподавателями департамента электронной инженерии ординарным профессором К.О. Петросянцем и доцентом Л.М. Самбурским, участвовала в олимпиаде по разделу «Электроника».
XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем
В сербском городе Нови Сад при поддержке Международного института инженеров электротехники и электроники (IEEE) проходила XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем (15-th IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM, EWDTS 2017). На конференции среди прочих сообщений были представлены два доклада сотрудников департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
Международный авиационно-космический салон МАКС-2017
С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.
«Делай в России!»
В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.
Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017
С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.
Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре
С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.
Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур
С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»
Международный форум «Микроэлектроника 2016»
С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ
С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).
ФГУПП «НИИП» - 60
Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.
XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»
Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.
18-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015)
Сотрудники департамента приняли участие в ежегодной 18-ой Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015), которая проходила 2-3 июня 2015 г. в г. Лыткарино.
Конференция AMT 2013
13 и 14 марта 2013 г. в городе Сямынь (Xiamen), КНР, проходила международная конференция по современным методам измерения и тестирования в электронике «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), организованная InformationEngineeringResearchInstitute (IERI, США/Сингапур).