Селезнёв Дмитрий Владимирович
- Стажер-исследователь:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Научно-учебная лаборатория квантовой наноэлектроники
- аспирант:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент компьютерной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2021 году.
Полномочия / обязанности
- Изучение сверхпроводящих гибридных структур для применения в квантовой электронике.
- Численное моделирование физических явлений в сверхпроводящих гетероструктурах.
- Разработка программного обеспечения для расчётов квантовых эффектов в сверхпроводящих гибридных структурах.
Образование
Магистратура: Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», специальность «Электроника и наноэлектроника», квалификация «Магистр»
Обучение в аспирантуре
2-й год обучения
Утвержденная тема диссертации: Разновесные микроволновые свойства гибридных слоистых структур, состоящих из сверхпроводника в контакте с магнитным материалом
Научный руководитель: Пугач Наталия Григорьевна
Публикации2
- Статья Seleznyov Dmitry, Yagovtsev V., Pugach N., Tao L. Ferromagnetic insulator induced inverse proximity effect in superconducting DoS // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2024. Vol. 595. Article 171645. doi
- Статья Селезнёв Д. В., Яговцев В. О., Пугач Н. Г., Туркин Я. В., Екомасов Е. Г., Львов Б. Г. Обратный эффект близости в гетероструктурах сверхпроводник–ферромагнитный диэлектрик // Физика металлов и металловедение. 2023. Т. 124. № 2. С. 196-203. doi
Опыт работы
2019-2020гг, Лаборант, Институт проблем химической физики РАН, Лаборатория физико-химической биологии физиологически активных соединений.
2021 - Н.В., Стажер-исследователь:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Научно-учебная лаборатория квантовой наноэлектроники