Жуков Алексей Евгеньевич
- Руководитель департамента, Профессор:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Департамент физики
- Заместитель декана по научной работе, Проектный координатор:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук
- Научный руководитель:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.
- Научно-педагогический стаж: 4 года.
Полномочия / обязанности
Научный руководитель Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники
Руководитель департамента физики (Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук Заместитель декана по научной работе (Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук)
Образование, учёные степени и учёные звания
- 2019Ученое звание: Доцент
- 2008Член-корреспондент РАН
- 2003Доктор физико-математических наук: Высшая аттестационная комиссия
- 1996Кандидат физико-математических наук: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
- 1992
Специалитет: Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Оптико-электронные приборы и системы», квалификация «Инженер-оптик (физика)»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
2021: Университет ИТМО "Образовательная деятельность и цифровые технологии в современном университете" (72 часа)
2018: Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук «Организация учебного образовательного пространства обучающихся с использованием инструментов информационно-коммуникационных технологий» 16 часов)
2018: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого: «Работа в электронной информационно-образовательной среде» (16 часов)
2017: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) «Использование электронной информационно-образовательной среды СПбГЭТУ «ЛЭТИ» при реализации образовательных программ ФГОС ВО» (20 часов)
Достижения и поощрения
- Почетная грамота Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (март 2024)
- Благодарность Президента РФ (февраль 2024)
- Благодарность НИУ ВШЭ (март 2022)
- Благодарность НИУ ВШЭ (март 2022)
Надбавка за публикации, вносящие особый вклад в международную научную репутацию НИУ ВШЭ (2023-2025)
Надбавка за публикацию в журнале из Списка А (и приравненном к нему научном издании) (2024-2025)
Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2022-2023, 2021-2022, 2020-2021)
Учебные курсы (2024/2025 уч. год)
- Технология полупроводниковых наногетероструктур (Маго-лего; 1, 2 модуль)Рус
- Технология полупроводниковых наногетероструктур (Магистратура; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Физика полупроводников (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 4-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2023/2024 уч. год)
- Аспирантский семинар (Аспирантура; 1-й курс, 1 семестр)Рус
- Введение в нанотехнологии (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 3-й курс, 3 модуль)Рус
- Введение в нанотехнологии (Магистратура; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Введение в нанотехнологии (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 3-й курс, 3 модуль)Рус
- Введение в нанотехнологии (Маго-лего; 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
Учебные курсы (2020/2021 уч. год)
- Дополнительные главы квантовой теории поля (Магистратура; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Теория сильно неупорядоченных систем (Магистратура; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Публикации134
- Статья Natalia V. Kryzhanovskaya, Eduard I. Moiseev, Alexey M. Nadtochiy, Ivan A. Melnichenko, Nikita A. Fominykh, Konstantin A. Ivanov, Sergey D. Komarov, Ivan S. Makhov, Evgenii V. L., Aliaksei G. V., Aliaksei V. N., Alexey E. Zhukov. Output Power of III-V Injection Microdisk and Microring Lasers // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics. 2025. Vol. 31. No. 2. P. 1-12. doi
- Статья A. A. Karaborchev, I. S. Makhov, Shandyba N. A., Chernenko N. E., Solodovnik M. S., N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov. Effect of non-uniform carrier injection on two-state lasing in quantum dot microdisks with split electrical contact // Journal of Physics D: Applied Physics. 2024. Vol. 57. No. 28. Article 285104. doi
- Статья Zhukov A., Nadtochiy A., Alexey Karaborchev, Fominykh N., Makhov I., Ivanov K., Guseva Y., Kulagina M., Sergey Blokhin, Kryzhanovskaya N. Fast switching between the ground- and excited-state lasing in a quantum-dot microdisk triggered by sub-ps pulses // Optics Letters. 2024. Vol. 49. No. 2. P. 330-333. doi
- Статья Makhov I., Kryzhanovskaya N., Dragunova A., Masyutin, D., Gladyshev A. G., Babichev A. V., Andryushkin V. V., Nevedomsky V. N., Uvarov A. V., Papylev D. S., Kolodeznyi E. S., Novikov I. I., Karachinsky L. Y., Egorov A. Y., Zhukov A. Photoluminescence of dense arrays of InGaPAs/InGaAs quantum dots formed by substitution of group V elements // Journal of Luminescence. 2024. Vol. 276. Article 120819. doi
- Статья Balakirev S., Alexey Nadtochiy, Natalia Kryzhanovskaya, Kirichenko D., Chernenko N., Shandyba N., Sergey Komarov, Anna Dragunova, Alexey Zhukov, Solodovnik M. Role of arsenic vapor pressure in transformation of InAs quantum dots during overgrowth by a GaAs capping layer // Journal of Luminescence. 2024. Vol. 272. Article 120621. doi
- Статья Крыжановская Н. В., Махов И. С., Надточий А. М., Иванов К. А., Моисеев Э. И., Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Максимов М. В., Шерняков Ю. М., Жуков А. Е. Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках // Письма в Журнал технической физики. 2024. Т. 50. № 21. С. 57-60. doi
- Статья Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Караборчев А. А., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Махов И. С., Жуков А. Е. Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии // Письма в Журнал технической физики. 2024. Т. 50. № 5. С. 3-6. doi
- Статья Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Комаров С. Д., Махов И. С., Иванов К. А., Моисеев Э. И., Антонов Е. Е., Гусева Ю. А., Кулагина М. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Хабибуллин Р. А., Галиев Р. Р., Павлов А. Ю., Томош К. Н., Жуков А. Е. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом // Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. № 2. С. 107-113. doi
- Статья Fedor Zubov, Moiseev E., Mikhail Maximov, Vorobyev A., Mozharov A., Shernyakov Y., Kalyuzhnyy N., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Half-Ring Microlasers Based on InGaAs Quantum Well-Dots with High Material Gain // Photonics. 2023. Vol. 10. No. 3. Article 290. doi
- Статья Maximov M. V., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y., Dubrovskii V. G., Alexey M. Nadtochiy, Alexey E. Zhukov. Hybrid multilevel-multiwavelength signaling scheme for optical data transmission // Physica Scripta. 2023. Vol. 98. No. 12. Article 125119. doi
- Статья N. V. Kryzhanovskaya, K. A. Ivanov, N. A. Fominykh, S. D. Komarov, I. S. Makhov, E. I. Moiseev, Guseva J., Kulagina M., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Lihachev A., Khabibullin R., Galiev R., Pavlov A., Tomosh K., M. V. Maximov, A. E. Zhukov. III–V microdisk lasers coupled to planar waveguides // Journal of Applied Physics. 2023. Vol. 134. No. 10. Article 103101. doi
- Статья Balakirev S., Kirichenko D., Chernenko N., Shandyba N., Sergey Komarov, Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Solodovnik M. Influence of the Arsenic Pressure during Rapid Overgrowth of InAs/GaAs Quantum Dots on Their Photoluminescence Properties // Crystals. 2023. Vol. 13. No. 9. Article 1358. doi
- Статья N.A. Fominykh, F.I. Zubov, K.A. Ivanov, E.I. Moiseev, A.M. Nadtochiy, Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., I.A. Melnichenko, Pirogov V. V., Scherbak S. A., Urmanov B. D., Nahorny A. V., N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov. Microring lasers with a waveguide coupler // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 126-132. doi
- Статья A. A. Karaborchev, I. S. Makhov, M. V. Maximov, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov. Multi-state lasing in microdisk lasers with InAs/GaAs quantum dots // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.3. P. 157-162. doi
- Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Fominykh N., Ivanov K., Makhov I., Maximov M., Zubov F., Kryzhanovskaya N. Optical Loss in Microdisk Lasers with Dense Quantum Dot Arrays // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2023. Vol. 59. No. 1. Article 2000108. doi
- Статья S. D. Komarov, Gridchin V. O., Lendyashova V. V., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Dvoretckaia L. V., A. S. Dragunova, I. S. Makhov1, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E., A. E. Zhukov. Optical properties of single InGaN nanowires with core-shell structure // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 114-120. doi
- Статья Han L., Wang Z., Gordeev N. Y., Mikhail V. Maximov, Tang X., Beckman A. A., Kornyshov G. O., Alexey E. Zhukov. Progress of Edge-Emitting Diode Lasers Based on Coupled-Waveguide Concept // Micromachines. 2023. Vol. 14. No. 6. Article 1271. doi
- Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Fominykh N., Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Temperature evolution of two-state lasing in microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots // Nanomaterials. 2023. Vol. 13. No. 5. Article 877. doi
- Статья A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, E. I. Moiseev, A.M. Nadtochiy, N.A. Fominykh, K.A. Ivanov, M.V. Maximov, Vorobyev A., Mozharov A., Kalyuzhnyy N. A., Mintairov S., Gordeev N., Guseva Y., Kulagina M., A.E. Zhukov. Thermal characteristics of III-V microlasers bonded onto silicon board // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 108-113. doi
- Статья I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov, I.S. Makhov, Maximov M., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., N.V. Kryzhanovskaya, Zhukov A. Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.1. P. 22-27. doi
- Статья Konstantin A. Ivanov, Alexey M. Nadtochiy, Natalia V. Kryzhanovskaya, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Ivan A. Melnichenko, Mikhail V. Maximov, Alexey E. Zhukov. Time-resolved temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of InGaAs/GaAs quantum well-dots // Journal of Luminescence. 2023. Vol. 255. Article 119620. doi
- Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Dragunova A., Fominykh N., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Two-state lasing in a quantum dot racetrack microlaser // Optics Letters. 2023. Vol. 48. No. 13. P. 3515-3518. doi
- Статья Makhov I., Ivanov K., Moiseev E., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mikhail Maximov, Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Two-state lasing in microdisk laser diodes with quantum dot active region // Photonics. 2023. Vol. 10. No. 3. Article 235. doi
- Статья Балакирев С. В., Кириченко Д. В., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Черненко Н. Е., Шандыба Н. А., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Солодовник М. С. Влияние давления мышьяка при заращивании квантовых точек InAs тонким низкотемпературным слоем GaAs на их оптические свойства // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 4. С. 276-281. doi
- Статья Мельниченко И. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А., Надточий А. М., Махов И. С., Козодаев М. Г., Хакимов Р. Р., Маркеев А. М., Воробьев А. А., Можаров А. М., Гусева Ю. А., Лихачев А. И., Колодезный Е. С., Жуков А. Е. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства // Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 8. С. 1112-1117. doi
- Статья Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Махов И. С., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Фоминых Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование p-i-n-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 3. С. 202-206. doi
- Статья Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А., Комаров С. Д., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Гусева Ю. А., Кулагина М. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Хабибуллин Р. А., Галиев Р. Р., Павлов А. Ю., Томош К. Н., Махов И. С., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом // Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 11. С. 1483-1485. doi
- Статья Максимов М. В., Шерняков Ю., Гордеев Н., Надточий А. М., Жуков А. Е. Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках // Письма в Журнал технической физики. 2023. Т. 49. № 5. С. 18-21. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Махов И. С., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Фоминых Н. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 3. С. 215-220. doi
- Статья Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zubov F., Nadtochiy A., Zhukov A. Analysis of characteristics of InGaAs/GaAs microdisk lasers bonded onto silicon board // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 163-166. doi
- Статья Fedor I. Zubov, Eduard I. Moiseev, Mikhail V. Maximov, Vorobyev A. A., Mozharov A. M., Kalyuzhnyy N. A., Mintairov S. A., Kulagina M. M., Natalia V. Kryzhanovskaya, Alexey E. Zhukov. Directional single-mode emission from InGaAs/GaAs quantum-dot half-disk microlasers // IEEE Photonics Technology Letters. 2022. Vol. 34. No. 24. P. 1349-1352. doi
- Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Makhov I., Ivanov K., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mikushev S., Zubov F., Maximov M., Kryzhanovskaya N. Dynamic characteristics and noise modelling of directly modulated quantum well-dots microdisk lasers on silicon // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 2. Article 025801. doi
- Статья Zubov F. I., Eduard I. Moiseev, Maximov M. V., Vorobyev A. A., Mozharov A. M., Shernyakov Y. M., Kalyuzhnyy N. A., Mintairov S. A., Kulagina M. M., Dubrovskii V. G., Natalia V. Kryzhanovskaya, Alexey E. Zhukov. Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots // Laser Physics. 2022. Vol. 32. No. 12. Article 125802. doi
- Статья F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy, N A Fominykh, K A Ivanov, I S Makhov, A S Dragunova, M V Maximov, N A Kryzhanovskaya, A E Zhukov. Improvement of thermal resistance in InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk lasers bonded onto silicon // Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37. No. 7. Article 075010. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Dragunova A., Maximov M. V., Zhukov A. Integrated optical transceiver based on III-V microdisk laser and photodiode // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 371-375. doi
- Статья E. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, Zubov F. I., Nahorny A. V., Urmanov B. D., N. A. Fominykh, K. A. Ivanov, Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Kulagina M. M., Maximov M. V., A. E. Zhukov. Investigation of far-field patterns of semiconductor microlasers with an active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.2. P. 25-30. doi
- Статья Gordeev N. Y., Kulagina M. M., Guseva Y. A., Serin A. A., Payusov A. S., Kornyshov G. O., Fedor I. Zubov, Alexey E. Zhukov, Mikhail V. Maximov. Low-threshold 1.3 μm ring lasers with InAs/InGaAs/GaAs quantum dot active region // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 6. Article 066201. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Zubov Fedor I., Moiseev E., Dragunova A., Ivanov K., Maximov Mikhail V., Zhukov A. On-chip light detection using integrated microdisk laser and photodetector bonded onto Si board // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 1. Article 016201. doi
- Глава книги A. E. Zhukov, E. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. A. Fominykh, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, M. V. Maximov, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Optical loss and noise modelling in microdisk lasers with InGaAs quantum well-dots, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi doi
- Глава книги Kryzhanovskaya N., Dragunova A., Fominykh N., M.V. Maximov, Moiseev E., F.I. Zubov, Ivanov K., Makhov I., Mozharov A. M., Kaluzhnyy N., Mintairov S., Guseva Y. A., Gordeev N., Zhukov A. Performance of InGaAs/GaAs Microdisk Lasers with Improved Thermal Resistance, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi P. 1-1. doi
- Статья Balakirev S., Chernenko N., Kryzhanovskaya N., Shandyba N., Kirichenko D., Dragunova A., Komarov S., Zhukov A., Solodovnik M. Photoluminescence properties of InAs quantum dots overgrown by a low-temperature GaAs layer under different arsenic pressures // Electronics. 2022. Vol. 11. No. 23. Article 4062. doi
- Статья Melnichenko I., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Makhov I., Nadtochiy A., Zhukov A. Submicron-Size Emitters of the 1.2–1.55 um Spectral Range Based on InP/InAsP/InP Nanostructures Integrated into Si Substrate // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 23. Article 4213. doi
- Статья N. A. Fominykh, E. I. Moiseev, I. S. Makhov, Min’kov K. N., A. M. Nadtochiy, Guseva Y. A., Kulagina M. M., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov. The investigation of optical coupling of microlasers with tapered fiber // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 167-170. doi
- Статья Zubov F., Shernyakov Y., Gordeev N., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Maximov M., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Zhukov A. Ultrahigh modal gain in stripe injection lasers and microlasers based on InGaAs/GaAs quantum dots // Quantum Electronics. 2022. Vol. 52. No. 7. P. 593-596.
- Статья Харченко А. А., Надточий А. М., Серин А. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Жуков А. Е., Максимов М. В., Breuer S. Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 1. С. 97-100. doi
- Статья Минтаиров С., С.А. Блохин, Калюжный Н., М.В. Максимов, Малеев Н., А.М. Надточий, Салий Р., Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 4. С. 32-35. doi
- Статья Новиков И. И., Няпшаев И. А., Гладышев А. Г., Андрюшкин В. В., Бабичев А. В., Карачинский Л. Я., Шерняков Ю. М., Денисов Д. В., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Егоров А. Ю. Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 9. С. 933-939. doi
- Статья Жуков А. Е., Надточий А. М., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 9. С. 922-927. doi
- Статья Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М., Гусева Ю. А., Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 12. С. 40-43. doi
- Статья Муретова М., Ф.И. Зубов, Асрян Л., Шерняков Ю., М.В. Максимов, А.Е. Жуков Конструкции блокирующих слоев для подавления паразитной рекомбинации в мощных диодных лазерах с GaAs волноводом // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 3. С. 363-369. doi
- Статья Надточий А. М., Мельниченко И. А., Иванов К. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 10. С. 993-996. doi
- Статья Гордеев Н. Ю., Моисеев Э. И., Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Бекман А. А., Корнышов Г. О., Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Жуков А. Е., Максимов М. В. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 μm // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 18. С. 36-40. doi
- Книга Zhukov A. 8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021. Institute of Physics Publishing (IOP), 2021.
- Статья Zhukov A., Blokhin S., Maleev N. A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Zubov F., Maximov M. Frequency response and carrier escape time of InGaAs quantum well-dots photodiode // Optics Express. 2021. Vol. 29. No. 25. P. 40677-40686. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Moiseev E., Maximov M. III–V microdisk/microring resonators and injection microlasers // Journal of Physics D: Applied Physics. 2021. Vol. 54. Article 453001. doi
- Статья Зубов Ф. И., Максимов М. В., Moiseev E., Berdnikov Y., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Improved performance of InGaAs/GaAs microdisk lasers epi-side down bonded onto a silicon board // Optics Letters. 2021. Vol. 46. No. 16. P. 3853-3856. doi
- Глава книги Scherbak S. A., Moiseev E., I A Melnichenko, Guseva J. A., M V Maximov, Lihachev A. I., Kryzhanovskaya N., Lipovski A. A., Zhukov A. Influence of dielectric overlayers on self-heating of a microdisk laser, in: Journal of Physics: Conference Series, Vol. 2086 Vol. 2086: 8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPbOPEN 2021) 25-28 May 2021, Saint Petersburg, Russia. IOP Publishing, 2021. Ch. 012100. doi
- Статья Gordeev N. Y., Максимов М. В., Payusov A. S., Serin A. A., Shernyakov Y. M., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Nadtochiy A., Zhukov A. Material gain of InGaAs/GaAs quantum well-dots // Semiconductor Science and Technology. 2021. Vol. 36. No. 1. Article 015008. doi
- Глава книги Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Maximov M., Dragunova A., Zhukov A. Monolithic and hybrid integration of InAs/GaAs quantum dot microdisk lasers on silicon, in: Integrated Optics: Design, Devices, Systems and Applications VI Vol. 11775. Washington : SPIE, 2021. doi Ch. 117750P. P. 75-79. doi
- Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Максимов М. В. Quantum-dot microlasers based on whispering gallery mode resonators // Light: Science and Applications. 2021. Vol. 10. P. 1-11. doi
- Статья Nadtochiy A., Gordeev N. Y., Kharchenko A. A., Berdnikov Y., Maximov M., Zhukov A. Saturated Layer Gain in Waveguides With InGaAs Quantum Well-Dot Heterostructures // Journal of Lightwave Technology. 2021. Vol. 39. No. 23. P. 7479-7485. doi
- Статья Kharchenko A., Nadtochiy A., Mintairov S., Maximov M., Zhukov A. Study of waveguide absorption in InGaAs ”quantum well-dots” heterostructures // Nano-Structures and Nano-Objects. 2021. Vol. 25. Article 100628. doi
- Глава книги Isaev N. K., E. I. Moiseev, N. A. Fominykh, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, M. V. Maximov, A. E. Zhukov. Temperature stability of small-signal modulation response of WGM microlasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots in the active region, in: 8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021. Institute of Physics Publishing (IOP), 2021. Ch. 012082. doi
- Статья Шерняков Ю., Гордеев Н., Паюсов А., Серин А., Корнышов Г., Надточий А. М., Кулагина М., Минтаиров С., Калюжный Н., Максимов М. В., Жуков А. Е. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 3. С. 256-263. doi
- Статья Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А., Корнев А., Филатов Н. А., Щербак С. А., Липовский А. А., Драгунова А. С., Кулагина М. М., Лихачев А. И., Фетисова М. В., Редуто И. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 19. С. 30-33. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Зубов Ф. И., Максимов М. В., Гордеев Н. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 9. С. 820-825. doi
- Статья Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Блохин С. А., Жуков А. Е. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 20. С. 3-6. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Драгунова А. С., Надточий А. М., Максимов М. В., Гордеев Н. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 12. С. 1223-1228. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Максимов М. В., Драгунова А. С. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 2. С. 195-200. doi
- Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Кулагина М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 13. С. 28-31. doi
- Глава книги Zhukov A. 1.55 μm range edge-emitting laser diodes based on InGaAs/InGaAlAs superlattice and InGaAs quantum wells, in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi P. 012072-1-012072-5. doi
- Книга 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi
- Глава книги Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zhukov A., Maksimov M. V. Analysis of the lasing characteristics of InGaAs/GaAs WGM microlasers, in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi doi
- Статья Расходчиков А. В., Щербак С. А., Kryzhanovskaya N., Липовский А. А., Zhukov A. Dielectric surrounding bleaches the optical bond between a microdisk resonator and a straight optical waveguide // Journal of Physics: Conference Series. 2020 (в печати)
- Глава книги Scherbak S., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Dielectric surrounding bleaches the optical bond between a microdisk resonator and a straight optical waveguide, in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi P. 012128-1-012128-6. doi
- Статья Mintairov S. A., Maximov M., Nadtochiy A., Zhukov A. Electronic states in GaAs photoconverters with InGaAs quantum well-dots // Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 1. Article 015009. doi
- Глава книги Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zhukov A. Experimental investigation of the far-field emission pattern of microdisk laser modes, in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi P. 012094-1-012094-5. doi
- Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Dragunova A., Maximov M., Berdnikov Y., Zubov F. I., Mintairov S. A., Kadinskaya S. A., Kulagina M. M., Kalyuzhnyy N. A. Impact of Self-heating and Elevated Temperature on Performance of Quantum Dot Microdisk Lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2020. Vol. 56. No. 5. P. 1-8. doi
- Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Dragunova A., Tang M., Chen S., Huiyun L., Kulagina M. M., Kadinskaya S. A., Zubov F. I., Mozharov A. M., Максимов М. В. InAs/GaAs quantum dot microlasers formed on silicon using monolithic and hybrid integration methods // Materials. 2020. Vol. 13. No. 10. Article 2315. doi
- Глава книги Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zhukov A. Investigation of microdisk and microring lasers based on InGaAs/GaAs QWDs by the interferometry method, in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi P. 012093-1-012093-4. doi
- Глава книги Zhukov A., Максимов М. В. Lateral mode behaviour in diode lasers based on coupled ridges, in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi doi
- Статья Maximov M., Nadtochiy A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Зубов Ф. И., Zhukov A. Light Emitting Devices Based on Quantum Well-Dots // Applied Sciences (Switzerland). 2020. Vol. 10. No. 3. Article 1038. doi
- Глава книги Kryzhanovskaya N., Максимов М. В., Zhukov A. Microdisk lasers for high-sensitive protein detection in microfluidic devices, in: SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care. Bellingham : SPIE, 2020. doi doi
- Статья Maximov M., Nadtochiy A., Zhukov A. Modification of InGaAs/GaAs heterostructure density of states and optical gain using hybrid quantum well-dots // Laser Physics Letters. 2020. Vol. 17. No. 9. P. 095801. doi
- Глава книги Максимов М. В., Nadtochiy A., Zhukov A. Optoelectronic devices with active region based on InGaAs/GaAs quantum well dots, in: SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care. Bellingham : SPIE, 2020. doi P. 1135601-1135607. doi
- Глава книги Maximov M., Zhukov A. Passive mode-locking of p-doped quantum dot semiconductor lasers, in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi P. 012068-1-012068-6. doi
- Книга Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Максимов М. В., Zhukov A. SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care. Bellingham : SPIE, 2020. doi
- Глава книги Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Максимов М. В., Zhukov A., Blokhin S. Small-signal modulation and 10 Gb/s data transmission by microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots, in: SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care. Bellingham : SPIE, 2020. doi doi
- Статья Fetisova M., Kryzhanovskaya N., Reduto I., Valentina Zhurikhina, Morozova O., Raskhodchikov A., Roussey M., Pelisset S., Kulagina M., Guseva Y., Lipovskii A., Maximov M., Zhukov A. Strip-loaded horizontal slot waveguide for routing microdisk laser emission // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 2020. Vol. 37. No. 6. P. 1878-1885. doi
- Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Kryzhanovskaya N., Kulagina M., Mintairov S., Kalyuzhnyi N., Zubov F., Maximov M. The Effect of Self-Heating on the Modulation Characteristics of a Microdisk Laser // Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. P. 515-519. doi
- Статья Максимов М. В., Надточий А. М., Жуков А. Е. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950-1100 nm на основе In0.4Ga0.6As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 24. С. 11-14. doi
- Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Крыжановская Н. В., Кулагина М. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 11. С. 3-7. doi
- Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Кулагина М. М., Можаров А. М., Кадинская С. А., Симчук О. И., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 16. С. 3-6. doi
- Статья Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Моисеев Э. И., Жуков А. Е., Харченко А. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Кулагина М. М., Максимов М. В. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 13. С. 7-10. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Максимов М. В. Предельная температура генерации микродисковых лазеров // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 6. С. 570-574. doi
- Статья Моисеев Э. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Симчук О. И., Кадинская С. А., Жуков А. Е. Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 2. С. 212-216. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Зубов Ф. И., Можаров А., Максимов М. В., Калюжный Н. А., Минтаиров С. А., Кулагина М. М., Гусева Ю., Blokhin S., Кудрявцев К., Яблонский А., Морозов С., Berdnikov Y., Рувимов С., Zhukov A. Direct modulation characteristics of microdisk lasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots // Photonics Research. 2019. Vol. 7. No. 6. P. 664-668. doi
- Статья Zhukov A, Natalia Kryzhanovskaya. Dynamics of Broadband Lasing Cascade from a Single Dot-in-well InGaAs Microdisk // Scientific Reports. 2019. Vol. 9. No. 1. P. 5635. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Зубов Ф. И., Можаров А., Максимов М. В., Калюжный Н. А., Минтаиров С. А., Blokhin S., Гусева Ю., Кулагина М. М., Berdnikov Y., Zhukov A. Evaluation of energy-to-data ratio of quantum-dot microdisk lasers under direct modulation // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. No. 6. P. 063107. doi
- Статья Zubov F., Maximov M., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zhukov A. High speed data transmission using directly modulated microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots // Optics Letters. 2019. Vol. 44. No. 22. P. 5442-5445. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Scherbak, S., Maximov M., Zhukov A. Lasing in III-V microdisk core - TiO2 shell lasers // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 2019. Vol. 36. No. 8. P. 2285-2291. doi
- Статья Ledentsov N., Shchukin V., Shernyakov Y. M., Kulagina M., Payusov A., Gordeev N. Y., Maximov M.V., Zhukov A., Karachinsky L. Y., Denneulin T., Cherkashin N. Room temperature yellow InGaAlP quantum dot laser // Solid-State Electronics. 2019. Vol. 155. P. 129-138. doi
- Статья Gordeev N., Payusov A., Shernyakov Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Kulagina M., Serin A., Gordeev S., Maximov M.V., Zhukov A. Transverse mode competition in narrow-ridge diode lasers // Laser Physics. 2019. Vol. 29. No. 2. Article 025003. doi
- Статья Фетисова М., Корнев А., Букатин А., Филатов Н., Елисеев И., Крыжановская Н. В., Редуто И., Моисеев Э. И., Максимов М. В., Жуков А. Е. Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 23. С. 10-13. doi
- Статья Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 4. С. 42-45. doi
- Статья Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 19. С. 37-39. doi
- Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Максимов М. В. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 8. С. 1122-1127. doi
- Статья Асеев А., Варшалович Д., Велихов Е., Грехов И., Гуляев Ю., Жуков А. Е., Иванов С. В., Каплянский А., Копьев П., Красников Г., Сурис Р., Фортов В. Памяти Жореса Ивановича Алфёрова // Успехи физических наук. 2019. Т. 62. № 8. С. 899-900. doi
- Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Зубов Ф. И., Можаров А., Калюжный Н. А., Минтаиров С. А., Кулагина М. М., Блохин С. А., Максимов М. В. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точкам // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 16. С. 49-51. doi
- Статья Максимов М. В., Жуков А. Е. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1,5 мкм на основе бесфосфорных гетероструктур // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 20-23. doi
- Статья Raskhodchikov A. V., Scherbak S., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Lipovskii A. A. Dielectric surrounding decimates eigenmodes of microdisk optical resonators // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 5. P. 051031. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Y., Maximov M., Lipovskii A., Zhukov A. Elevated temperature lasing from injection microdisk lasers on silicon // Laser Physics Letters. 2018. Vol. 15. No. 1. P. 015802. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Polubavkina Y., Moiseev E., Maximov M., Zhurikhina V., Scherbak S., Lipovskii A., Kulagina M., Zadiranov Y., Mukhin I., Komissarenko F., Bogdanov A., Krasnok A., Zhukov A. Enhanced light outcoupling in microdisk lasers via Si spherical nanoantennas // Journal of Applied Physics. 2018. Vol. 124. No. 16. P. 163102. doi
- Статья Zubov F. I., Muretova M. E., Asryan L. V., Semenova E. S., Maximov M. V., Zhukov A. Feasibility study for Al-free 808 nm lasers with asymmetric barriers suppressing waveguide recombination // Journal of Applied Physics. 2018. Vol. 124. No. 13. Article 133105. doi
- Статья Nadtochiy A., Максимов М. В., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Nevedomskiy V. N., Rouvimov S. S., Zhukov A. Gradual evolution from quantum well like to quantum dot like characteristics in InGaAs/GaAs nanostructures // Physica Status Solidi (B): Basic Research. 2018. Vol. 255. No. 9. Article 1800123. doi
- Статья Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Nadtochiy A. Highly efficient injection microdisk lasers based on quantum well-dots // Optics Letters. 2018. Vol. 43. No. 19. P. 4554-4557. doi
- Статья Zhukov A. Optically-pumped lasing in a rolled-up dot-in-a-well (DWELL) microtube via the support of Au pad // Applied Physics B: Lasers and Optics. 2018. Vol. 124. No. 2. Article 21. doi
- Статья Fetisova M. V., Kryzhanovskaya N., Reduto I. V., Moiseev E., Blokhin S., Kotlyar K. P., Scherbak S., Lipovskii A. A., Kornev A. A., Bukatin A. S., Maximov M., Zhukov A. Room temperature lasing from microdisk laser in aqueous medium // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 5. P. 051007. doi
- Статья Mao G., Wang Q., Chai Z., Cao J., Liu H., Ren X., Maleev N. A., Vasil’ev A. P., Zhukov A., Ustinov V. M. Room temperature observation of optical modes in transferred rolled-up InGaAs/GaAs quantum dot microtube with AlGaAs confining layers // Materials Science in Semiconductor Processing. 2018. Vol. 79. No. 6. P. 20-23. doi
- Статья Zhukov A E. Room-temperature yellow-orange (In,Ga,Al)P–GaP laser diodes grown on (n11) GaAs substrates // Optics Express. 2018. Vol. 26. No. 11. P. 13985-13994. doi
- Статья Zhukov A. E. Virtual cavity in distributed Bragg reflectors // Optics Express. 2018. Vol. 26. No. 19. P. 25280-25292. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Polubavkina Y., Moiseev E., Zhurikhina V., Zubov F., Lipovskii A., Maximov M., Zhukov A. 3.5- μ m radius race-track microlasers operating at room temperature with 1.3- μ m quantum dot active region // Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 4. P. 043104. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Y., Maximov M., Lipovskii A., Zhukov A. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer // Optics Express. 2017. Vol. 25. No. 14. P. 16754-16760. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Y., Maximov M., Lipovskii A., Zhukov A. Heat-sink free CW operation of injection microdisk lasers grown on Si substrate with emission wavelength beyond 13 μm // Optics Letters. 2017. Vol. 42. No. 17. P. 3319-3322. doi
- Статья Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Polubavkina Y., Maximov M., Lipovskii A., Mukhin I., Mozharov A., Zhukov A. Light Outcoupling from Quantum Dot-Based Microdisk Laser via Plasmonic Nanoantenna // ACS Photonics. 2017. Vol. 4. No. 2. P. 275-281. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Y., Zubov F., Maximov M., Lipovskii A., Zhukov A. Microdisk lasers based on GaInNAs(Sb)/GaAs(N) quantum wells // Journal of Applied Physics. 2016. Vol. 120. No. 33. P. 233103. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zubov F., Lipovskii A., Maximov M., Zhukov A. Continuous-wave lasing at 100°C in 1.3 µm quantum dot microdisk diode laser // Electronics Letters. 2015. Vol. 51. No. 17. P. 1354-1355. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Mukhin I., Maximov M., Lipovskii A., Moiseev E., Zhukov A. Mode selection in InAs quantum dot microdisk lasers using focused ion beam technique // Optics Letters. 2015. Vol. 40. No. 17. P. 4022-4025. doi
- Статья Zubov F., Maximov M., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Observation of zero linewidth enhancement factor at excited state band in quantum dot laser // Electronics Letters. 2015. Vol. 51. No. 21. P. 1686-1688. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Maximov M., Moiseev E., Nadtochiy A., Lipovskii A. Room Temperature Lasing in 1-μm Microdisk Quantum Dot Lasers // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics. 2015. Vol. 21. No. 6. P. 709-713. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zhukov A., Nadtochiy A., Moiseev E., Lipovskii A. Single-Mode Emission From 4-9-μm Microdisk Lasers with Dense Array of InGaAs Quantum Dots // Journal of Lightwave Technology. 2015. Vol. 33. No. 1. P. 171-175. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Mukhin I., Moiseev E., Nadtochiy A., Zhukov A., Maximov M., Lipovskii A. Control of emission spectra in quantum dot microdisk/microring lasers // Optics Express. 2014. Vol. 22. No. 21. P. 25782-25787. doi
- Статья Maximov M., Kryzhanovskaya N., Nadtochiy A., Moiseev E., Zhukov A., Lipovskii A. Ultrasmall microdisk and microring lasers based on InAs/InGaAs/GaAs quantum dots // Nanoscale Research Letters. 2014. Vol. 9. No. 1. P. 657-657. doi
Участие в редколлегиях научных журналов
С 2017 г.: член редсовета журнала «Письма в Журнал технической физики Technical Physics Letters».
Опыт работы
1992-2004: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (стажер-исследователь, м.н.с., н.с., с.н.с.)
2005-2007: Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН (ведущий научный сотрудник)
2007-2019: Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет РАН (проректор, зав. лабораторией)
Информация*
- Общий стаж: 35 лет
- Научно-педагогический стаж: 4 года
- Преподавательский стаж: 4 года
«Главная цель на этот учебный год — развивать учебные и научные программы»
Редакция Питерской Вышки ждет нового учебного года не меньше студентов и преподавателей. Уверены, он выйдет очень насыщенным: впереди вышкинцев ждут увлекательные исследовательские проекты, новые образовательные партнерства и интересные научные конференции. По случаю праздника поговорили с деканами, руководителями образовательных программ и научных подразделений о том, чего они ждут от следующего года.
В бакалавриате и магистратуре по физике запускается траектория «Физическая механика»
С нового учебного года на программах бакалавриата и магистратуры по физике появится новая траектория — «Физическая механика». Она специализируется на математическом и численном моделировании физических процессов, связанных с механикой твердого тела.
Подведены научные итоги конференции Saint Petersburg OPEN по физике
Прошли рецензирование научные статьи участников школы-конференции по оптоэлектронике, фотонике, инженерии и наноструктурам Saint Petersburg OPEN. По решению рецензентов 150 работ будут опубликованы в журнале «Научно-технические ведомости СПбПУ. Физико-математические науки».
Физик из Питерской Вышки — второй в России среди ученых в области электроники и электротехники по рейтингу Research.com
Научный руководитель Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники Питерской Вышки, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Алексей Жуков по итогам 2023 года второй год подряд вошел в топ-3 самых цитируемых ученых России в области электроники и электротехники порейтингу международной платформы Research.com.
«Код ученого»: Алексей Жуков о первом лазере на квантовых точках, оптоэлектронике и удаче Алферова
Продолжается прием в бакалавриат и магистратуру Питерской Вышки по физике. Сегодня в рубрике «Код ученого» мы хотим представить вам главу департамента, к которому относятся эти программы. Знакомьтесь — Алексей Жуков, член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук и руководитель департамента физики. Поговорили с ученым о том, почему важно переходить на оптическую передачу данных, где нужны квантово-каскадные лазеры и в чем гений Альберта Эйнштейна.
«Радостно видеть позитивную преемственность»: как прошла конференция Saint Petersburg OPEN для физиков
17 мая в Питерской Вышке завершилась Saint Petersburg OPEN — школа-конференция по оптоэлектронике, фотонике, инженерии и наноструктурам. В течение двух дней 287 студентов, аспирантов и молодых ученых из 25 городов России слушали доклады экспертов и представляли результаты собственных исследований на постерных сессиях. Какие темы обсуждали на конференции в этот раз и какие впечатления остались у участников — рассказали в материале.
Проект «Зеркальные лаборатории» НИУ ВШЭ отмечает пятилетие
«Зеркальные лаборатории» — одна из флагманских программ Высшей школы экономики, направленная на развитие внутрироссийских научных партнерств. За время реализации проекта было инициировано 41 научное исследование в партнерстве
Профессора Питерской Вышки получили государственные награды
В преддверии 300-летия Российской академии наук профессора факультета физико-математических и компьютерных наук Антон Кривцов и Сергей Иванов получили медали ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.
НИУ ВШЭ начинает взаимодействие с ведущими вузами Колумбии
Высшая школа экономики впервые в своей истории выходит на образовательный рынок Колумбии. О совместных проектах с ключевыми университетами этой страны представители НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург договорились в ходе академической миссии по странам Латинской Америки.
«Я всегда хотел участвовать в экспериментах, быть ближе к приборам»
Физик Иван Махов на первых курсах института переживал, что его отчислят, а сейчас возглавляет исследование, поддержанное грантом Российского научного фонда. О работе с криостатом замкнутого цикла, разговоре с Эйнштейном и любимом месте в родном Санкт-Петербурге он рассказал в интервью проекту «Молодые ученые Вышки».
Квантовые точки над «i»: как это открытие изменило мир науки
В 2023 году Нобелевскую премию по химии получили трое ученых, чьи исследования были связаны с квантовыми точками. Для Питерской Вышки это приятное событие: работы физиков многим обязаны этому открытию. А Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники и вовсе не выпускает эту тему из своего фокуса. Поговорили с руководителем департамента физики Алексеем Жуковым и профессором базовой кафедры ФТИ имени А. Ф. Иоффе Михаилом Глазовым.
«На этот год у меня большие планы»
Редакция Питерской Вышки поздравляет всех читателей с началом учебного года. Пусть он принесет много приятных открытий и вдохновения! По случаю праздника поговорили со студентами и преподавателями кампуса о планах на год — в науке, карьере, внеучебке и не только.
Эдуард Моисеев: «В лаборатории День сурка никогда не наступит»
Эдуард Моисеев работает в Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники. Когда-то он поступил в университет по олимпиаде: выбрал физику, а не инженерное дело. Потом занялся исследованиями микролазеров и наноструктур и работает над ними по сей день. Для чего физикам программирование, чем интересна работа ученого и с чего начать научную карьеру — в интервью.
«Судя по постерной сессии, здесь собрались все»: чем запомнилась конференция Saint Petersburg OPEN для физиков
В мае в Питерской Вышке прошла Saint Petersburg OPEN — конференция по оптоэлектронике, фотонике, инженерии и наноструктурам. Организатором мероприятия стала Школа физико-математических и компьютерных наук. В мероприятии приняли участие 276 ученых из 22 городов России — от Петербурга до Владивостока.
Валентина Журихина: «Если любите физику — выбирайте ее, она уж точно не разочарует»
Магистерская программа «Физика» провела первый набор в 2020 году. Она подойдет как будущим теоретикам, так и экспериментаторам. Можно погружаться в вопросы математической физики или изучать микролазеры в вышкинской лаборатории. Какие перспективы у выпускников программы, как выглядит учебный план и на чем строится научная работа — рассказывает академический руководитель Валентина Журихина.
Physicist from HSE University-St Petersburg Ranked Russia’s Number One Scientist in Electronics and Electrical Engineering by Research.com
The academic platform Research.com has published a ranking of the best scientists in the field of electronics and electrical engineering in 2022. In Russia, first place in Electronics and Electrical Engineering went to Alexey Zhukov, Academic Supervisor of the International Laboratory of Quantum Optoelectronics, Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Corresponding Member of the Russian Academy of Sciences.
Солнечные батареи, полупроводники, задачи по дифракции и лазерная гравировка HSE: чем запомнился День физика
18 марта в корпусе на Кантемировской прошел День физика. Ученики 10–11-х классов прослушали лекции о полупроводниковых лазерах и солнечных батареях от научных сотрудников Питерской Вышки и ФТИ имени А. Ф. Иоффе. Затем ребятам провели экскурсию по Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники, некоторые получили лазерную гравировку HSE в подарок. Как прошел День физика — в репортаже.
Физик из Питерской Вышки — первый в России среди ученых в области электроники и электротехники по рейтингу Research.com
Академическая платформа Research.com опубликовала рейтинг лучших ученых в области электроники и электротехники за 2022 год. В России в области Electronics and Electrical Engineering первое место занял Алексей Евгеньевич Жуков, научный руководитель Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники, доктор физико-математических наук, член-корреспондент Российской академии наук.
В мае Питерская Вышка проведет конференцию по физике Saint Petersburg OPEN 2023
С 23 по 26 мая пройдет Saint Petersburg OPEN: школа-конференция по оптоэлектронике, фотонике, инженерии и наноструктурам для молодых ученых. Ее организует Школа физико-математических и компьютерных наук. Подача тезисов продлится до 1 апреля. Рассказываем, что ждет участников конференции.
В Питерской Вышке идет набор в аспирантуру по физике
В 2023 году стартует набор на новую аспирантскую программу «Физика полупроводников». Она направлена на подготовку научных сотрудников в области полупроводниковых материалов и приборов.
«Наша задача — быть максимально открытыми для абитуриентов»: как прошел День физика в Питерской Вышке
В воскресенье 27 ноября в Питерской Вышке состоялся День физика. Гости кампуса могли послушать лекцию Алексея Евгеньевича Жукова о лазерах и полупроводниковых материалах, прогуляться по учебным лабораториям для физиков и попробовать себя в экспериментах. Рассказываем, как прошло мероприятие.
«Вся соль науки не в результате, а в творческом процессе»
27 ноября для абитуриентов Школы физико-математических и компьютерных наук пройдет День физика. Всех участников ждет лекция о полупроводниках и лазерах от Алексея Евгеньевича Жукова, научного руководителя Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники, доктора физико-математических наук, члена-корреспондента Российской академии наук. Поговорили с Алексеем Евгеньевичем о том, как он сам пришел в науку, сделал первый в мире лазер на квантовых точках и побывал на вручении Нобелевской премии.
«На грядущий учебный год я желаю себе ловить кайф от каждого мгновения»
Новый учебный год близко. Сейчас можно строить планы со спокойной душой, намечать новые цели и загадывать желания. Поговорили со студентами и преподавателями Питерской Вышки о том, чего они ждут от 2022–2023 учебного года.
Магистратура Питерской Вышки по физике запускает экспериментальный трек
Образовательная программа магистратуры (МП) «Физика» теперь будет содержать, помимо теоретического, еще и экспериментальный трек «Физика и технология наноструктур». Этот трек станет важным этапом выстраивания в НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург непрерывной системы подготовки научных кадров по направлению «Физика полупроводников».
Научные итоги Saint Petersburg OPEN 2022
Доклады участников майской Школы-конференции по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN 2022, организованной Питерской Вышкой, прошли рецензирование. Из более чем двухсот поданных на публикацию работ рецензентами отобраны 150. Осенью они будут опубликованы в двух тематических выпусках издаваемого в Петербурге научного журнала.
Saint Petersburg OPEN 2022 как образовательная и коммуникационная площадка
Завершилась Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN, проходившая на площадке НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург с 25 по 27 мая. 295 молодых ученых-физиков из тридцати российских городов приняли в ней участие: обсудили с экспертами актуальную научную проблематику, представили результаты исследований, установили научные связи, познакомились с петербургским кампусом Вышки. Научные доклады участников запланированы к публикации в рецензируемом журнале.
Короткий гайд по Saint Petersburg OPEN 2022
На следующей неделе в Питерской Вышке состоится Saint Petersburg OPEN — школа-конференция по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам. В этом материале собрали основную информацию о конференции: в каком формате пройдет мероприятие, как принять участие и на какие доклады стоит обратить внимание.
Экспертный совет премии им. Алфёрова определил претендента на победу
7 апреля в Питерской Вышке состоялось заседание экспертного совета по присуждению премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в номинации «Нанотехнологии» — премии им. Ж.И. Алфёрова.
Школа-конференция по физике Saint Petersburg OPEN: как это будет
С 24 по 27 мая в Питерской Вышке пройдет школа-конференция Saint Petersburg OPEN по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам. Участвовать в ней могут молодые ученые, студенты и аспиранты. Подача тезисов продлится до конца марта.
«Наша цель в том, чтобы молодые исследователи получили возможность для апробации своих идей»
В мае в Питерской Вышке пройдет Saint Petersburg OPEN — школа-конференция по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам. Председатель программного и организационного комитетов, член-корреспондент Российской академии наук Алексей Евгеньевич Жуков рассказал, зачем участвовать в подобных мероприятиях, что значит школа-конференция и какие приглашенные докладчики выступят в этом году.
«Я хочу, чтобы петербургские физики вновь продемонстрировали открытия, опережающие передовую мировой науки»
В 2020 году в Питерской Вышке откроется первая естественнонаучная лаборатория — Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники. Заведующий департаментом физики и научный руководитель лаборатории Алексей Евгеньевич Жуков рассказал о направлениях исследований, планах на будущее и возможностях для магистрантов.