?
Frequency response and carrier escape time of InGaAs quantum well-dots photodiode
Optics Express. 2021. Vol. 29. No. 25. P. 40677-40686.
Жуков А. Е., Блохин С. А., Maleev N. A., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Zubov F., Maximov M.
Ключевые слова: быстродействиеквантовые точкиp-i-n-фотодиодыSemiconductor quantum dotsphotodiodehigh speed performance
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Махов И. С. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 3 С. 215-220
Предложена модель, позволяющая в аналитическом виде проанализировать быстродействие p-i-n фотодиода волноводной конструкции со светопоглощающей областью, представляющей собой многослойный массив квантовых точек, разделенных нелегированными прослойками. Показано, что существует оптимальное число рядов квантовых точек, а также оптимальная толщина спейсеров, позволяющие получить наибольшую рабочую частоту. Показана возможность достижения частотного диапазона (по уровню -3дБ) свыше 20 ГГц для волноводных ...
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Махов И. С. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 3 С. 202-206
Исследованы статические и динамические характеристики волноводных фотодетекторов c поглощающей областью на основе InGaAs/GaAs квантовых ям-точек при комнатной температуре. Спектральная полоса поглощения InGaAs/GaAs квантовых ям-точек лежит в диапазоне от 900 до 1100 нм. Фотодетектороы полосковой формы имеют ширину 50 мкм и длину поглощающей области от 92 мкм до 400 мкм. Получено низкое значение плотности темнового тока ...
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 12 С. 1223-1228
С помощью скоростных уравнений проанализированы характеристики тандема лазерный диод−полупроводниковый оптический усилитель, формируемых из одной гетероструктуры с квантовыми точками.
Определено оптимальное значение коэффициента распределения тока накачки между усилителем и лазером,
а также оптимальные длины резонаторов, обеспечивающие наибольшую выходную мощность тандема.
Показано, что использование тандема позволяет при том же полном потребляемом токе существенно (более
чем в 4 раза для 1А) увеличить ...
Добавлено: 25 ноября 2021 г.
Seidelman T., Schimpf C., Bracht T. и др., Physical Review Letters 2022 Vol. 129 No. 19 Article 193604
Entangled photon pairs are key to many novel applications in quantum technologies. Semiconductor quantum dots can be used as sources of on-demand, highly entangled photons. The fidelity to a fixed maximally entangled state is limited by the excitonic fine-structure splitting. This work demonstrates that, even if this splitting is absent, the degree of entanglement cannot ...
Добавлено: 1 декабря 2022 г.
Zubov F. I., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y. и др., Quantum Electronics 2022 Vol. 52 No. 7 P. 593-596
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 12 С. 40-43
В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через ...
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Khrebtov A. I., Kulagina A. S., Danilov V. V. и др., Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal) 2022 Vol. 89 No. 5 P. 298-301
Предмет исследования. В работе исследована фотолюминесценция гибкой пленочной структуры, представляющей собой массив нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP, внедренных в полимеризованный слой триоктилфосфин оксида с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, в зависимости от интенсивности возбуждения в ближнем инфракрасном диапазоне при комнатной температуре. Метод. Нитевидные нанокристаллы были синтезированы на подложке Si (III) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке Compact 21 фирмы ...
Добавлено: 26 сентября 2022 г.
Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 19 С. 30-33
Исследована зависимость спектрального положения линии генерации микродискового лазера с квантовыми
точками InAs/InGaAs/GaAs от показателя преломления водного раствора, в который погружен микролазер.
Для микролазеров диаметром 10 μm, помещенных в водный раствор глюкозы, получена максимальная
величина сдвига резонанса 9.4 nm/RIU. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 20 С. 3-6
Исследована мощность излучения в непрерывном режиме микродисковых лазеров с квантовыми ямамиточками InGaAs/GaAs, гибридно интегрированных с подложкой кремния эпитаксиальной стороной вниз с помощью термокомпрессионного соединения. Вследствие уменьшения теплового сопротивления и подавления саморазогрева наблюдается рост значений токов, при которых происходит насыщение мощности и гашение лазерной генерации, а также увеличение предельной мощности. В микродисках диаметром 19 µm наибольшая ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37-39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 13 С. 28-31
Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs
при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 μm
оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью
оптического сигнала. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Maximov M., Крыжановская Н. В., Надточий А. М. и др., Nanoscale Research Letters 2014 Vol. 9 No. 1 P. 657-657
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 9 С. 820-825
На основе анализа скоростных уравнений с помощью численного моделирования и аналитически
исследовано насыщение усиления в оптическом усилителе на основе массива квантовых точек. Показано, что
при умеренном уровне инжекции величина мощности насыщения растет пропорционально плотности тока,
а в дальнейшем достигает своего наибольшего значения, ограниченного скоростью поступления носителей
заряда на основное состояние и количеством квантовых точек, взаимодействующих с фотонами. Предложены
выражения, позволяющие ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Балакирев С. В., Кириченко Д. В., Комаров С. Д. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 4 С. 276-281
Представлены результаты экспериментальных исследований заращивания квантовых точек InAs низкотемпературным слоем GaAs при различных давлениях паров мышьяка. Обнаружено, что трехкратное уменьшение давления мышьяка при фиксированной скорости осаждения покровного слоя приводит к смене формы спектра фотолюминесценции квантовых точек с одним максимумом на уровне 1.19 эВ на форму спектра с двумя низкоэнергетическими вкладами на уровнях 1.08 и 1.15 ...
Добавлено: 14 сентября 2023 г.
Гордеев Н. Ю., Моисеев Э. И., Фоминых Н. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 18 С. 36-40
Исследованы температурные характеристики кольцевых лазеров диаметром 480 μm оригинальной
конструкции с активной областью на основе десяти слоев квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs. Лазеры продемонстрировали низкую пороговую плотность тока (200А/cm2 при 20◦C в непрерывном режиме генерации), характеристическая температура порогового тока в диапазоне 20−100◦C
составила 68K, максимальная температура генерации 130◦C. Данные величины лишь незначительно уступают параметрам торцевых лазеров, изготовленных из той ...
Добавлено: 3 октября 2022 г.
Моисеев Э. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 2 С. 212-216
Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время ...
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Optics Letters 2017 Vol. 42 No. 17 P. 3319-3322
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2019
Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей ...
Добавлено: 10 февраля 2020 г.
Крыжановская Н. В., Zubov Fedor I., Моисеев Э. И. и др., Laser Physics Letters 2022 Vol. 19 No. 1 Article 016201
Добавлено: 2 декабря 2021 г.
Жуков А. Е., Applied Physics B: Lasers and Optics 2018 Vol. 124 No. 2 Article 21
Добавлено: 16 марта 2021 г.