Цзян Синсин
- Научный сотрудник:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2023 году.
Образование, учёные степени
- 2021PhD: Хунаньский университет
- 2016
Бакалавриат: Хунаньский университет, специальность «физика», квалификация «Бакалавр»
Публикации2
- Статья Jiang X., Tan J., Liu D., Feng Y., Chen K., Kazakova E. A., Vasenko A., Chulkov E. Ferroelectric Polarization and Single-Atom Catalyst Synergistically Promoting CO2 Photoreduction of CuBiP2Se6 // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2024. Vol. 15. No. 13. P. 3611-3618. doi
- Статья Jiang X., Tan J., Liu D., Feng Y., Chen K., Long R., Andrey S. Vasenko. Improved Carrier Separation and Recombination by Ferroelectric Polarization in the CuBiP2Se6/C2N Heterostructure: A Nonadiabatic Molecular Dynamics Study // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2024. Vol. 15. No. 10. P. 2867-2875. doi