• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Владение языками
английский
испанский
Контакты
Телефон:
+7 (495) 772-95-90 15240
Адрес: Таллинская ул., д. 34
ORCID: 0000-0002-3957-3178
ResearcherID: J-5015-2017
Scopus AuthorID: 7006663820
Google Scholar
Присутственные часы
Пятница, 15:00 - 18:00
Руководитель
Львов Б. Г.
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!
Сервис предназначен только для отправки сообщений об орфографических и пунктуационных ошибках.

Чулков Евгений Владимирович

  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.

Образование, учёные степени

  • 1991
    Доктор физико-математических наук
  • 1974

    Специалитет: Томский государственный университет им. В.В. Куйбышева, специальность «Физика»

Достижения и поощрения

Государственная премия Страны Басков за Исследования (2019)

Публикации10


Опыт работы

2020 - наст. время, главный научный сотрудник, Департамент электронной инженерии, МИЭМ, НИУ ВШЭ

2000 - наст. время, Профессор, Департамент физики материалов, Университет страны басков (Сан Себастьян, Испания)

1995 - 2000, Приглашённый профессор, Департамент физики материалов, Университет страны басков (Сан Себастьян, Испания)

1988 - 1995, Зав. лабораторией поверхностных явлений, Институт физики прочности и материаловедения (Томск, Россия)

Семинар «Последние достижения в области физики и материаловедения магнитных топологических изоляторов»

26 января 2023 года состоялся семинар НУЛ «Квантовой наноэлектроники». С докладом на тему «Последние достижения в области физики и материаловедения магнитных топологических изоляторов» выступил главный научный сотрудник Департамента электронной инженерии МИЭМ, профессор Международного физического центра Доностии (Испания) Евгений Владимирович Чулков. Доклад был осуществлён в Zoom.

Семинар "Теоретическое проектирование новых топологических изоляторов: электронная структура и магнитные эффекты"

15 декабря 2022 года состоялся семинар НУЛ «Квантовой наноэлектроники». С докладом на тему «Теоретическое проектирование новых топологических изоляторов: электронная структура и магнитные эффекты» выступил главный научный сотрудник Департамента электронной инженерии МИЭМ, профессор Международного физического центра Доностии (Испания) Евгений Владимирович Чулков. Доклад был осуществлён в Zoom.