Чулков Евгений Владимирович
- Главный научный сотрудник:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.
Образование, учёные степени
- 1991Доктор физико-математических наук
- 1974
Специалитет: Томский государственный университет им. В.В. Куйбышева, специальность «Физика»
Публикации10
- Статья Liu D., Wu Y., Mikhail R. Samatov, Andrey S. Vasenko, Evgueni V. Chulkov, Prezhdo O. Compression Eliminates Charge Traps by Stabilizing Perovskite Grain Boundary Structures: An Ab Initio Analysis with Machine Learning Force Field // Chemistry of Materials. 2024. Vol. 36. No. 6. P. 2898-2906. doi
- Статья Jiang X., Tan J., Liu D., Feng Y., Chen K., Kazakova E. A., Vasenko A., Chulkov E. Ferroelectric Polarization and Single-Atom Catalyst Synergistically Promoting CO2 Photoreduction of CuBiP2Se6 // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2024. Vol. 15. No. 13. P. 3611-3618. doi
- Статья Li H., Zhou Z., Vasenko A., Chulkov E., Fang Q., Long R. Formation and Recombination Dynamics of Polarons in Goethite: A Time-Domain Ab Initio Study // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2024. Vol. 15. No. 39. P. 10018-10025. doi
- Статья Qiao L., Vasenko A., Chulkov E., Long R. Schottky Defects Suppress Nonradiative Recombination in CH3NH3PbI3 through Charge Localization // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2024 (в печати)
- Статья Lin Z., Wang C., Balassis A., Echeverry J. P., A. S. Vasenko, Silkin V. M., E. V. Chulkov. Dramatic Plasmon Response to the Charge-Density-Wave Gap Development in 1T-TiSe2 // Physical Review Letters. 2022. Vol. 129. No. 18. Article 187601. doi
- Статья Sklyadneva I., Heid R., Echenique P., E. V. Chulkov. Electron–phonon coupling and superconductivity in a 2D Tl–Pb compound on Si(111) // Physical Chemistry Chemical Physics. 2022. Vol. 24. No. 17. P. 10140-10146. doi
- Статья Stolyarov V., Sheina V., Khokhlov D., Vlaic S., Pons S., Aubin H., Akzyanov R., A.S. Vasenko, Menshchikova T., E.V. Chulkov, A.A. Golubov, Cren T., Roditchev D. Disorder-Promoted Splitting in Quasiparticle Interference at Nesting Vectors // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2021. Vol. 12. P. 3127-3134. doi
- Статья Gebauer P., Poddig H., Corredor-Bohorquez L. T., Menshchikova T. V., Rusinov I. P., Golub P., Caglieris F., Benndorf C., Lindemann T., E. V. Chulkov, Wolter A. U., Büchner B., Doert T., Isaeva A. Heavy-Atom Antiferromagnet GdBiTe: An Interplay of Magnetism and Topology in a Symmetry-Protected Topological Semimetal // Chemistry of Materials. 2021. Vol. 33. No. 7. P. 2420-2435. doi
- Статья Tolstov K., Politov B., Zhukov V., E.V. Chulkov, Kozhevnikov V. The impact of atomic defects on high-temperature stability and electron transport properties in Sr2Mg1−xNixMoO6–δ solid solutions // Journal of Alloys and Compounds. 2021. Vol. 883. Article 160821. doi
- Статья Stolyarov V., Pervakov K. S., Astrakhantseva A. S., Golovchanskiy I. A., Vyalikh D. V., Kim T. K., Eremeev S. V., Vlasenko V. A., Pudalov V., Golubov A., Chulkov E., Roditchev D. Electronic Structures and Surface Reconstructions in Magnetic Superconductor RbEuFe4As4 // The Journal of Physical Chemistry Letters. 2020. Vol. 11. No. 21. P. 9393-9399. doi
Опыт работы
2020 - наст. время, главный научный сотрудник, Департамент электронной инженерии, МИЭМ, НИУ ВШЭ
2000 - наст. время, Профессор, Департамент физики материалов, Университет страны басков (Сан Себастьян, Испания)
1995 - 2000, Приглашённый профессор, Департамент физики материалов, Университет страны басков (Сан Себастьян, Испания)
1988 - 1995, Зав. лабораторией поверхностных явлений, Институт физики прочности и материаловедения (Томск, Россия)
Семинар «Последние достижения в области физики и материаловедения магнитных топологических изоляторов»
26 января 2023 года состоялся семинар НУЛ «Квантовой наноэлектроники». С докладом на тему «Последние достижения в области физики и материаловедения магнитных топологических изоляторов» выступил главный научный сотрудник Департамента электронной инженерии МИЭМ, профессор Международного физического центра Доностии (Испания) Евгений Владимирович Чулков. Доклад был осуществлён в Zoom.
Семинар "Теоретическое проектирование новых топологических изоляторов: электронная структура и магнитные эффекты"
15 декабря 2022 года состоялся семинар НУЛ «Квантовой наноэлектроники». С докладом на тему «Теоретическое проектирование новых топологических изоляторов: электронная структура и магнитные эффекты» выступил главный научный сотрудник Департамента электронной инженерии МИЭМ, профессор Международного физического центра Доностии (Испания) Евгений Владимирович Чулков. Доклад был осуществлён в Zoom.