• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

TCAD Simulation of Total Ionization Dose Response of 45nm High-K MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrate

P. 27-30.

В систему TCAD были добавлены новые полуэмпирические модели для учета эффектов поглощенной дозы, которые зависят от объема, оксида, плотности ловушек на границе HfO2 / Si, подвижности носителей, времени жизни в материале. В работе была исследована структура 45-нм high-k объемного и КНИ МОП транзистора с учетом радиационного воздейсвтия.