?
Effect of coherent population trapping in a compact microfabricated Cs gas cell pumped by intra-cavity contacted VCSELs with rhomboidal oxide current aperture
Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. No. 7. P. 077014.
Бобров М. А., Блохин С. А., Малеев Н. А., Блохин А. А., Васильев А. П., Кузьменков А. Г., Гладышев А. Г., Новиков И. И., Петренко М. В., Оспенников А. М., Ермак С. В., Устинов В. М.
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
английский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Babich E. S., Scherbak, S., Asonkeng F. и др., Optical Materials Express 2019 Vol. 9 No. 10 P. 4090-4096
Добавлено: 9 ноября 2020 г.
M. : Association of graduates and employees of AFEA named after prof. Zhukovsky, 2018
Добавлено: 24 мая 2018 г.
Блохин С. А., Бобров М. А., Блохин А. А. и др., Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53 № 8 С. 1128-1134
Представлены результаты исследования динамических характеристик одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких сильнонапряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Обнаружено, что предложенные конструкции активной области и оптического микрорезонатора лазера принципиально обеспечивают возможность достижения высокого уровня дифференциального усиления лазера в диапазоне температур 20−85◦C, однако слабая локализация ...
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Gridchin V., Kotlyar K., Reznik R. и др., Nanotechnology 2021 Vol. 32 No. 33 Article 335604
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Болдырев К. Н., Маврин Б. Н., Шерин П. С. и др., Journal of Luminescence 2018 Vol. 193 P. 119-124
Добавлено: 8 февраля 2019 г.
Zhukov A., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2020 Vol. 56 No. 5 P. 1-8
Добавлено: 30 июля 2020 г.
Малеев Н. А., Васильев А. П., Кузьменков А. Г. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 21 С. 29-33
Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.
Будков Ю. А., М. : ЛЕНАНД, 2020
В монографии впервые представлены статистические подходы, основанные на теории самосогласованного поля, к теоретическому описанию термодинамических свойств ион-молекулярных систем (растворов электролитов, ионных жидкостей, диэлектрических полимеров и металлоорганических каркасов) в объеме и на границах раздела фаз с учетом особенностей их молекулярной структуры. В книге также дан подробный анализ современного состояния теории и моделирования ион-молекулярных систем. Книга сможет послужить в качестве методического пособия для ...
Добавлено: 18 ноября 2019 г.
ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2019
Труды содержат представленные на конференцию доклады из вузовских, академических и отраслевых организаций России и стран СНГ (Армении, Азербайджана, Белоруссии, Казахстана, Узбекистана). В опубликованных докладах содержатся новые результаты исследований процессов образования, миграции и эволюции радиационных дефектов в твердых телах, радиационно-технологических методов модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, эффектов радиационно-стимулированной диффузии, радиационно-индуцированной сегрегации ...
Добавлено: 16 августа 2019 г.
В этой статье мы представляем измерения и сравнение длины распространения SPP на практически важной длине волны излучения, широко используемой в телекоммуникациях (1560 нм), а также в ближнем инфракрасном и видимом спектральных диапазонах. Измерения проводились для плоских плазмонных волн, возбуждаемых на поверхности пленки Ag, с помощью оптической микроскопии плазмонных волн в дальнем поле. Мы также демонстрируем возможность визуализации распространения SPP-волн ...
Добавлено: 15 января 2021 г.
Бобров М. А., Блохин А. А., Кузьменков А. Г. и др., Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127 № 7 С. 145-149
Представлены результаты исследования внутренних оптических потерь и эффективности токовой инжекции в вертикально-излучающих лазерах спектрального диапазона 1.55 μm, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких напряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Показано, что предложенная конструкция лазера при комнатной температуре обеспечивает рекордно низкий уровень внутренних оптических потерь (менее 6.5 cm-1) и высокую эффективность ...
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Maximov M. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2015 Vol. 21 No. 6 P. 709-713
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Elsevier, 2018
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Крыжановская Н. В., Maximov M., Жуков А. Е. и др., Journal of Lightwave Technology 2015 Vol. 33 No. 1 P. 171-175
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Novikov I., Надточий А. М., Potapov A. Y. и др., Journal of Luminescence 2021 Vol. 239 Article 118393
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 6 С. 570-574
Развита модель, которая позволяет в аналитическом виде определить пороговый ток микродискового лазера с учетом саморазогрева в зависимости от температуры окружающей среды и диаметра микролазера. Показано, что существует обусловленный саморазогревом минимальный диаметр микродиска, вплоть до которого возможно достижение лазерной генерации в непрерывном режиме при заданной температуре. Другим проявлением саморазогрева является существование предельной рабочей температуры, тем меньшей, ...
Добавлено: 15 сентября 2020 г.
Duarte E. C., Sardella E., Тейшейра С. Т. и др., / Cornell University. Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Свинарев Ф. Б., Балашова Е. В., Кричевцов Б. Б. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 1038 P. 012117
Добавлено: 10 ноября 2020 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2020 Т. 46 № 16 С. 3-6
Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки n + -GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков p-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и ...
Добавлено: 25 августа 2020 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Добавлено: 10 ноября 2020 г.
Болдырев К. Н., Романов А., Хаула Е. и др., Journal of the American Ceramic Society 2019 Vol. 102 No. 5 P. 2745-2751
Добавлено: 8 февраля 2019 г.
Жуков А. Е., Applied Physics B: Lasers and Optics 2018 Vol. 124 No. 2 Article 21
Добавлено: 16 марта 2021 г.