?
Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C)
P. 423-428.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in : 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. : M. : HSE, 2016. P. 1-4.
The paper describes the features of an automated system for measurement and processing of electrical characteristics of BJTs and MOS transistors in the presence of thermal and radiation effects. Automation is made possible with employing of long measurement cables and a ramified scripting system. The system is based on a set of measuring instruments, methods ...
Добавлено: 28 сентября 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416-425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Самбурский Л. М. и др., , in : Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). : IEEE, 2016. P. 250-254.
Добавлено: 1 ноября 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1-6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). : IEEE, 2020. P. 56-60.
Добавлено: 14 февраля 2021 г.
Харитонов И. А., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271-274.
Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade и др., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). : IEEE Computer Society, 2018. P. 609-613.
Добавлено: 30 октября 2018 г.
Предмет исследования. Метод измерения показателя преломления с помощью автоматизированной автоколлимационной гониометрической системы. Цель работы. Упрощение процедуры прецизионных измерений показателя преломления прозрачных твёрдых и жидких оптических материалов. Метод. Для измерения показателя преломления трёхгранных призм часто используют гониометрические методы, основанные на измерении углов преломления света веществом. Предложен метод, позволяющий определять показатель преломления путём измерения угла отклонения света призмой после отражения от внутренней ...
Добавлено: 17 ноября 2022 г.
Юрин А. И., Кожевников А. Ю., В кн. : Инновационные, информационные и коммуникационные технологии. Сборник трудов XIV Международной научно-практической конференции, 1-10 октября 2017 года, Россия, г. Сочи. : М. : Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2017. С. 84-86.
В работе приведен пример построения автоматизированного измерительного комплекса (АИК), предназначенного для контроля параметров трансформаторов. Приведен пример определения структуры АИК методом анализа иерархий. ...
Добавлено: 18 января 2018 г.
Добавлено: 24 апреля 2020 г.
Харитонов И. А., Тегин М. С., Клопотов Г. И. и др., , in : Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). : M. : IEEE, 2022. P. 1-5.
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov и др., Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA) 2017 Vol. 33 No. 1 P. 37-51
Добавлено: 16 февраля 2017 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018). Вып. 3.: М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117.
Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Konstantin O. Petrosyants, Харитонов И. А., Самбурский Л. М., , in : EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. : Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.
Добавлено: 12 марта 2015 г.
Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, ...
Добавлено: 9 сентября 2018 г.
Зотов А. Н., , in : Information Innovative Technologies: Materials of the International scientific – рractical conference. : M. : Association of graduates and employees of AFEA named after prof. Zhukovsky, 2020. P. 133-137.
Добавлено: 28 апреля 2020 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., , in : 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. : M. : IEEE, 2018. P. 1-5.
Добавлено: 8 сентября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467-469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov и др., Proceedings of SPIE (США) 2012 Vol. 8700 P. 16.1-16.6
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase ...
Добавлено: 23 января 2014 г.
Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina, , in : 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). : IEEE, 2020. P. 1-7.
Добавлено: 7 мая 2020 г.
Добавлено: 30 января 2018 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн. : Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов. Т. 14. Вып. 7s.: М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912-913.
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Dvornikov O. и др., , in : 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. : M. : IEEE, 2018. Ch. 380. P. 1-4.
Добавлено: 30 мая 2018 г.