Статья
Interpretation of Data Obtained through the Use of a Version of the Time-of-Flight Technique with a Variable Thickness of the Generation Zone
Проведен теоретический анализ кривых переходного тока, зарегистрированных в молекулярно допированном ПК методом времени пролета с переменной толщиной зоны генерации. Использована модель смешанного транспорта носителей заряда, предложенная в литературе в качестве альтернативы точке зрения, трактующей плато как артефакт оптического варианта времени пролета с приповерхностной генерацией носителей заряда. Разработана программа для численного анализа модели, в которой транспорт дырок по слою генерации дисперсионный, а в остальной части полимера гауссов. Выбор значений параметров модели проведен по результатам независимых измерений. Модель смешанного транспорта не объясняет наблюдаемых экспериментальных закономерностей.
Методом времени пролета измерена подвижность дырок в молекулярно-допированных поликарбонате и полистироле, содержащих как полярные, так и слабо полярные добавки. Использованы оба варианта метода с объемной и приповерхностной генерацией носителей заряда в режиме малого сигнала. Численные расчеты показывают, что временная зависимость кривых переходного тока, полученных с помощью первого варианта метода, находится в согласии с теорией многократного захвата для экспоненциального распределения ловушек по энергии. В случае времяпролетных кривых (приповерхностная генерация) ход послепролетной ветви также согласуется с теорией, тогда как для предпролетной ветви кривых подобное согласие зачастую нарушается. Последнее объясняется влиянием дефектного приповерхностного слоя полимера, не учитываемого при проведении численных расчетов. Полученные результаты свидетельствуют о том, что транспорт дырок в исследованных молекулярно-допированных полимерах является дисперсионным. Увеличение полярности полимерной матрицы и допанта резко снижает подвижность дырок, усиливая при этом ее полевую и температурную зависимости.
Рассмотрены общие вопросы электронного транспорта в неупорядоченных органических средах (полимеры, органические стекла, молекулярно допированные полимеры). Дан критический анализ экспериментальных результатов, их интерпретации в рамках основных теоретических моделей, а также экспериментальных методов, применяемых при проведении исследований в этой области. Особое внимание уделено сравнительному анализу данных, полученных времяпролетным методом и в ходе изучения радиационной электропроводности полимеров, в частности, возможности описания последних в рамках модели гауссова беспорядка.
Механизм зарядового транспорта в молекулярно допированных полимерах был предметом многих обсуждений за эти годы. В этой статье, данные, полученные с помощью новой экспериментальной разновидности времяпролетного (TOF) метода, названного TOF1a, сопоставляются с данными, получаемыми по двуслойной модели многократного захвата (MTM) с экспоненциальным распределением ловушек. В недавно введенном экспериментальном варианте времяпролетного метода TOF1a глубина генерации заряда изменяется непрерывно от поверхностной генерации к объемной генерации с помощью изменения энергии источника электроннолучевого возбуждения. Это вызывает систематические изменения в форме переходного тока, который может быть сопоставлен с предсказаниями двуслойной MTM модели. В этой модели добавлено одно дополнительное предположение к однородной MTM, а именно: то, что там существует поверхностная область толщиной порядка микрометра, в которой распределение ловушек идентично объемной области, но имеет более высокую концентрацию ловушек. Найдено, что характерные экспериментальные особенности начального острого импульса, плоского плато, и аномально широкого хвоста, так же как и иногда наблюдаемого острого выступа или уменьшения тока, происходящего вблизи времени пролета, могут все быть описаны такой двуслойной моделью; то есть, они могут возникать в результате высвобождения носителей из обогащенного ловушками поверхностного слоя. Мы находим, что можем полуколичественно подставлять данные по переходному току по всему диапазону времени эксперимента, но только при использовании теоретических параметров, которые лежат в узком пределе, степень которого мы здесь количественно определяем.
В данной работе рассматривается пятое уравнение Пенлеве. Методами степенной геометрии ищутся асимптотические разложения его решений при x → 0. Получено 27 семейств разложений решений уравнения. 19 из них получены из разложений решений шестого уравнения Пенлеве. Среди остальных 8 семейств одно было известно раньше, ещё одно может быть получено из разложения решения третьего уравнения Пенлеве. Новыми являются 3 семейства полуэкзотических разложений, 2 семейства сложных разложений и семейство степенно-логарифмических разложений.
Труды содержат доклады, представленные учеными из России, Украины, Белоруссии, Казахстана, Эстонии, Узбекистана, Германии, Польши, посвященные актуальным проблемам радиационной физики твердого тела (влияние радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влияние факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологические методы получения материалов, в частности наноматериалов, модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, создание и получение экологически чистых материалов с низкой наведенной радиоактивностью и др.).
Труды содержат доклады, представленные специалистами из России, Украины, Белорусии, Казахстана, Узбекистана, Германии, Великобритании, Польши по направлениям:«Радиационная физика металлов», «Радиационная физика неметаллических материалов», «Физические основы радиационной технологии» и посвященные разнообразным проблемам радиационной физики твердого тела (процессы прохождения заряженных и нейтральных частиц, рентгеновского и гамма-излучений через вещество, электрон-атомные, атом-атомные, ион-атомные и др. столкновения в твердых телах, ориентационные явления при взаимодействии высокоэнергетических частиц с твердым телом, радиационно-индуцированные и радиационно-стимулированные явления в твердых телах и др.).
В данной работе рассматривается пятое уравнение Пенлеве, которое имеет 4 комплексных параметра. Методами степенной геометрии ищутся асимптотические разложения его решений в окрестности его неособой точки z=z0, z0≠0, z0≠∞, при любых значениях параметров уравнения. Показано, что имеется ровно 10 семейств разложений решений уравнения. Все они - по целым степеням локальной переменной z - z0. Из них одно новое; у него произвольный коэффициент при четвертой степени локальной переменной. Одно из семейств однопараметрическое, остальные - двухпараметрические. Доказано, что все разложения сходятся в окрестности (а являющиеся полюсами - в проколотой окрестности) точки z=z0.
В учебном пособии рассматриваются базовые вопросы компьютерной лингвистики: от теории лингвистического и математического моделирования до вариантов технологических решений. Дается лингвистическая интерпретация основных лингвистических объектов и единиц анализа. Приведены сведения, необходимые для создания отдельных подсистем, отвечающих за анализ текстов на естественном языке. Рассматриваются вопросы построения систем классификации и кластеризации текстовых данных, основы фрактальной теории текстовой информации.
Предназначено для студентов и аспирантов высших учебных заведений, работающих в области обработки текстов на естественном языке.
В данной работе рассматривается пятое уравнение Пенлеве, которое имеет 4 комплексных параметра α, β, γ, δ. Методами степенной геометрии ищутся асимптотические разложения его решений при x → ∞. При α≠0 найдено 10 степенных разложений с двумя экспоненциальными добавками каждое. Шесть из них - по целым степеням x (они были известны), и четыре по полуцелым (они новые). При α=0 найдено 4 однопараметрических семейства экспоненциальных асимптотик y(x) и 3 однопараметрических семейства сложных разложений x=x(y). Все экспоненциальные добавки, экспоненциальные асимптотики и сложные разложения найдены впервые. Также уточнена техника вычисления экспоненциальных добавок.