• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Моделирование воздействия на интегральную схему электростатического разряда, вызванного полем

С. 67-69.
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В.

Целью данной работы является построение модели воздействия FCDM ЭСР на интегральную микросхему в корпусе с исполь­зованием средств схемотехнического моделирования.

В книге

Т. 1: Наукоемкие технологии в приборе- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе: материалы Всероссийской научно-технической конференции 4-6 декабря 2012 г. М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012.