• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Диэлектрические свойства сегнетоэлектрических кристаллов бетаинфосфита с высокой степенью дейтерирования

Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 12. С. 2313-2318.
Свинарев Ф. Б., Балашова Е., Кричевцов Б., Юрко Е., Панкова Г.

Исследованы диэлектрические свойства кристаллов дейтерированного бетаинфосфита с высокой степенью дейтерирования в области антиферродисторсионного при T = Tc1 и сегнетоэлектрического при T = Tc2 фазовых переходов. Проведено описание температурного поведения диэлектрической проницаемости бетаинфосфита и дейтерированного бетаинфосфита в рамках термодинамической модели Ландау с учетом биквадратичной связи между полярным параметром порядка сегнетоэлектрического перехода и неполярным параметром антиферродисторсионного перехода. Показано, что с увеличением степени дейтерирования связь между параметрами порядка уменьшается. Повышение температуры сегнетоэлектрического фазового перехода при дейтерировании бетаинфосфита обусловлено увеличением диэлектрической проницаемости в симметричной фазе выше температуры антиферродисторсионного фазового перехода