• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Механизм и кинетика формирования структуры и травления тонких пленок фото- и электронорезистов при облучении ионами средних энергий

Тонкие пленки позитивных и негативных электронорезистов и позитивных фоторезистов облучали ионами В+ (100 кэВ) и Р+ (150 кэВ) дозами 6·1012-1016 см–2. Изучено влияние химического строения резиста на эффективность ионного травления. На основании анализа ИК-спектров позитивных фоторезистов определен механизм формирования структуры резиста при облучении