?
Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными InGaAs квантовыми ямами и «тыльным» отражателем
Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 8. С. 699-703.
Малевская А. В., Калюжный Н. А., Малевский Д. А., Минтаиров С. А., Надточий А. М., Нахимович М. В., Солдатенков Ф. Ю., Шварц М. З., Андреев В. М.
Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до 92−93%. Изготовлены светодиоды с внешней квантовой эффективностью 28.5%.
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Адамов Р. Б., Петрук А. Д., Мелентьев Г. А. и др., Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки 2022 Т. 15 № 4 С. 32-43
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенного исследования позволяют утверждать, что с ...
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 11 С. 20-23
Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Neplokh V., Fedorov V., Mozharov A. и др., Nanomaterials 2021 Vol. 11 No. 10 Article 2549
Добавлено: 29 сентября 2021 г.
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Бобров М. А., Блохин А. А., Кузьменков А. Г. и др., Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127 № 7 С. 145-149
Представлены результаты исследования внутренних оптических потерь и эффективности токовой инжекции в вертикально-излучающих лазерах спектрального диапазона 1.55 μm, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких напряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Показано, что предложенная конструкция лазера при комнатной температуре обеспечивает рекордно низкий уровень внутренних оптических потерь (менее 6.5 cm-1) и высокую эффективность ...
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2020 Vol. 124 Article 114301
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Новиков И. И., Няпшаев И. А., Гладышев А. Г. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 9 С. 933-939
Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к ...
Добавлено: 4 января 2023 г.
Lounis B., Buzdin A. I., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 105 No. 2 Article L020504
Теоретически исследуется неравновесная динамика параметра порядка сверхпроводящего кольца, неоднородно закаленного через температуру его перехода. Численное моделирование, основанное на спектральной декомпозиции зависящего от времени уравнения Гинзбурга-Ландау, показывает, что сверхпроводящие состояния с током могут генерироваться в кольце при определенных условиях быстрой локальной температуры. Мы также показываем, что освещение кольца электромагнитным излучением с круговой поляризацией во время быстрого ...
Добавлено: 10 декабря 2022 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 6 С. 570-574
Развита модель, которая позволяет в аналитическом виде определить пороговый ток микродискового лазера с учетом саморазогрева в зависимости от температуры окружающей среды и диаметра микролазера. Показано, что существует обусловленный саморазогревом минимальный диаметр микродиска, вплоть до которого возможно достижение лазерной генерации в непрерывном режиме при заданной температуре. Другим проявлением саморазогрева является существование предельной рабочей температуры, тем меньшей, ...
Добавлено: 15 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 13 С. 28-31
Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs
при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 μm
оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью
оптического сигнала. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
E. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, Zubov F. I. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.2 P. 25-30
Добавлено: 15 марта 2023 г.
Чупраков С. А., Блинов И. В., Загорский Д. Л. и др., Физика металлов и металловедение 2021 Т. 122 № 9 С. 933-939
В работе методом матричного синтеза получены нанопроволоки (НП) различных типов- из чистого кобальта, из сплава кобальта с медью и слоевые структуры, состоящие из чередующихся слоёв кобальта и меди различной толщины. Методом ядерного магнитного резонанса (ЯМР) на ядрах 59Co исследованы структурные особенности массивов. Установлено, что в однокомпонентных НП присутствуют фазы ГЦК и ГПУ Со, при добавлении ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Duarte E. C., Sardella E., Тейшейра С. Т. и др., / Cornell University. Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Малеев Н. А., Васильев А. П., Кузьменков А. Г. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 21 С. 29-33
Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.
N.A. Fominykh, F.I. Zubov, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 126-132
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Добавлено: 11 мая 2023 г.
A. N. Prikhodko, I. I. Belikov, Lvov A. V. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 345-349
Добавлено: 11 мая 2023 г.
Walls B., Murtagh O., Bozhko S. и др., Materials 2022 Vol. 15 No. 21 Article 7652
Добавлено: 11 декабря 2022 г.
Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2023 Vol. 107 No. 2 Article 024503
Добавлено: 15 февраля 2023 г.
Zhukov A., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2020 Vol. 56 No. 5 P. 1-8
Добавлено: 30 июля 2020 г.
Шураков А. С., Mikhailov D., Беликов И. И. и др., Journal of Physics: Conference Series 2020 Vol. 1695 No. 1 Article 012154
Добавлено: 18 мая 2022 г.
Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 20 С. 3-6
Исследована мощность излучения в непрерывном режиме микродисковых лазеров с квантовыми ямамиточками InGaAs/GaAs, гибридно интегрированных с подложкой кремния эпитаксиальной стороной вниз с помощью термокомпрессионного соединения. Вследствие уменьшения теплового сопротивления и подавления саморазогрева наблюдается рост значений токов, при которых происходит насыщение мощности и гашение лазерной генерации, а также увеличение предельной мощности. В микродисках диаметром 19 µm наибольшая ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Крыжановская Н. В., Maximov M., Жуков А. Е. и др., Journal of Lightwave Technology 2015 Vol. 33 No. 1 P. 171-175
Добавлено: 30 сентября 2020 г.