?
Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов
С. 239-242.
In book
М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013
Petrosyants K. O., Popov D., Kozhukhov M., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Novel TСAD-rad models for the bipolar and MOSFET structures have been developed taking into account the effect of proton radiation on the basic physical parameters (τ, μ, S, Nit). The simulation results are in good agreement with experimental data. ...
Added: October 16, 2017
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D., В кн. : Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017. : М., Дубна : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224-226.
С помощью Synopsys TCAD проводилось моделирование тока стока n-канального КНИ МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения и повышении температуры от 27°С до 160°С. Показано, что полный ток утечки стока при повышенной температуре существенно выше суммы теплового тока необлученного транзистора и радиационного тока утечки при комнатной температуре. ...
Added: October 18, 2017
Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M., , in : EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. : Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.
Universal SPICE model for submicron SOI/SOS
MOSFETs based on BSIMSOI and EKV-SOI platforms with
account for total ionizing dose-induced effects (TID), pulsed
radiation effects, single events is presented. A special subcircuit
consisting of parasitic transistors for sidewall and backgate
leakage currents and other elements is connected to the standard
SPICE model. In addition, the radiation-dependent parameters
are described by physically based mathematical ...
Added: March 12, 2015
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., , in : Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). : Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511.
In this work features of measurement, processing and analysis of electrical characteristics of MOSFET’s subjected to various kinds of static irradiation (neutron, electron, and -rays) and temperature in the extended high/low ranges are analyzed. As a result a unified (with account for radiation and temperature) automated measurement, parameters extraction and modeling system is developed, which ...
Added: October 29, 2017
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Hardware-software subsystem designed for MOSFETs characteristic measurement and SPICE model parameter extraction taking into account radiation effects is presented. Parts of the system are described. The macromodel approach is used to account for radiation effects in MOSFET modeling. Particularities of the account for radiation effects in MOSFETs within the measurement and model parameter extraction procedures ...
Added: January 23, 2014
Петросянц К. О., В кн. : Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015). : М. : Техносфера, 2016. С. 415-431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Added: April 13, 2016
И.П. Безродных (. И., А.П. Тютнев, В.Т. Семёнов (. В., АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2017
В третьей части книги представлены результаты экспериментальных исследований влияния ионизирующего излучения на изделия электронной техники. Книга предназначена для конструкторов и разработчиков электронной аппаратуры космических аппаратов, она также может быть полезна для научных работников и инженеров, специализирующихся в области электроники и радиационной физики.
Введение. Обеспечение надежной эксплуатации космических аппаратов в космосе сопряжено с решением целого комплекса научно-технических ...
Added: December 29, 2017
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018
The main content of the training manual is:
consideration of the issues of the effect of radiation creating structural defects on the main parameters of bipolar transistors,
Consider issues related to the influence of ionization factors on the operation of transistors (radiation transients),
the effect of nuclear reactions and fast annealing on the parameters of transistors is considered;
Classification ...
Added: March 16, 2018
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., В кн. : Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. : М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Added: October 18, 2017
Petrosyants K. O., В кн. : Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. : М. : МАКС Пресс, 2021. С. 112-116.
Added: November 30, 2021
50584562, M.V. Kozhukhov, , in : PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base. * Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M. : ., 2017. Ch. 1. P. 2-10.
Novel TCAD and SPICE models of the Si BJTs and the SiGe HBTs taking into account influence of neutrons, protons, and gamma radiation on the device characteristics were developed. The interaction between TCAD and SPICE device models in radiation-hardened IC design flow was considered. The complete set of I-V, C-V, fT, fmax of BJT/HBT characteristics ...
Added: October 25, 2017
Sadovnichii D. N., A.P. Tyutnev, Milekhin Y. M., Russian Chemical Bulletin 2020 No. 9 P. 1607-1613
The modern state of experimental and theoretical studies of the radiation-induced conductivity and charging of polymeric dielectrics under the action of electron beams is considered. The eff ect of the molecular mobility on the transport of excess charge carriers is discussed. ...
Added: December 19, 2020
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. et al., , in : 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. : M. : IEEE, 2018. Ch. 380. P. 1-4.
A unified SPICE macromodel of the SiGe HBTs taking into account radiation effects is presented. It consists of two parts: 1) the standard core model (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM) selected by the designer; 2) an additional subcircuit taking into account the radiation-induced current and voltage shifts. The macromodel was included on SPICE-like simulators. The advantages of SPICE-RAD ...
Added: May 30, 2018
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. et al., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
An efficient approach to simulation of various types of radiation effects in bipolar and MOSFET IC’s using non-specialized SPICE simulators is realized using the developed compact SPICE models of Si BJT’s, SiGe HBT’s, SOI/SOS MOSFET’s and verified in real projects of extremal electronics R&D. ...
Added: October 16, 2017
Безродных И. П., Tyutnev A., Семёнов В. Т., М. : АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2016
Вторая часть книги состоит из трех глав. В первой главе второй части книги дается всесторонний теоретический анализ радиационной электропроводности полимеров, излагаются новейшие экспериментальные данные по радиационной электропроводности полимеров и прыжковому транспорту носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Воздействие ионизирующих излучений (быстрых электронов, гамма-квантов, протонов, быстрых и медленных нейтронов и др.) на полимерные диэлектрики (в дальнейшем, ...
Added: April 20, 2016
Petrosyants K. O., Popov D., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
TID response of 45nm high-k bulk and SOI MOSFETs was of simulated. The set of new physical semi-empirical models accounting for TID dependences trap densities, carrier mobilities, carrier lifetime was developed and introduced into TCAD. Acceptable agreement between simulated results and experimental data was achieved. ...
Added: October 16, 2017
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 404-405
The paper considers a new TCAD Rad model for BJTs and MOSFETs for proton radiation. The equations for radiation-dependent parameters (life time, mobility, surface velocity, traps concentration) have been added in Sentaurus TCAD. The simulation results are in good agreement with experimental data. ...
Added: January 30, 2019
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
The effects of proton irradiation on SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) are investigated using Synopsys/ISE TCAD tool. To account for the impact of proton irradiation models for carrier lifetime degradation under irradiation are included in the program. The results of modeling the impact of protons of different energies are presented. For SiGe HBT increase in ...
Added: October 21, 2012
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Kozhukhov M. et al., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183-194
The paper highlights RAD-THERM-AGING versions of TCAD and SPICE models developed for BiCMOS VLSI components with submicron and nanometer sizes, taking into account various types of radiation effects, temperatures in the wide range of -260...+300°C and aging during long-term operation. ...
Added: July 7, 2022
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. : М. : МАКС Пресс, 2020. С. 394-397.
The unified Si BT/SiGe HBT SPICE-model is presented, which allows performing SPICE simulation of integrated circuits that considering the radiation effect. The results of measurements and modeling of electrical characteristics of bipolar transistors before and after exposure to various radiation types are presented. ...
Added: December 5, 2020
Jinshun B., Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017
Added: October 16, 2017
Petrosyants K. O., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
The article highlights the status of TCAD and SPICE modeling of CMOS, SOI CMOS, SiGe BiCMOS VLSI components intended for operation under the influence of radiation (neutrons, electrons, protons, y- and X-ray, single particle, pulsed radiation), high (up to +300°C) and low (up to –200°C) temperatures. TCAD and SPICE models of BJTs and MOSFETs, and ...
Added: January 30, 2019
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
An EKV-RAD macromodel for SOI/SOS MOSFET with account for radiation effects is developed using a subcircuit approach. As an addition to the standard version of the EKV model 1) radiation dependencies of parameters VTO, GAMMA, KP, E0 are introduced and 2) additional circuit elements to account for floating-body effects and radiation-induced leakage currents under static ...
Added: January 22, 2013
Petrosyants K. O., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 281-283.
Для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС разработаны универсальные компактные SPICE-макромодели биполярных и МОП-транзисторов, учитывающие радиационные воздействия гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц. ...
Added: October 10, 2016